MOSFET de potencia avanzado de canal N VS3603GPMT de 30 V y 200 A para reemplazo de placa hash
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About the Product
Actualice su placa hash con el MOSFET de potencia avanzado VS3603GPMT
El MOSFET de potencia avanzado de canal N de 30 V/200 A VS3603GPMT es el reemplazo perfecto para un chip MOS defectuoso en su placa hash. Este MOSFET, que utiliza la tecnología avanzada de encapsulado PDFN5*6, ofrece un rendimiento y una confiabilidad excepcionales.
MOSFET de canal N de alta eficiencia para reparaciones confiables de placas hash
Con un modo de mejora y una resistencia de encendido muy baja, el MOSFET VS3603GPMT garantiza una gestión eficiente de la energía. Con la tecnología VitoMOS® II, ofrece capacidades de conmutación rápidas, optimizando el rendimiento general de su placa hash de criptominería . El MOSFET ha sido sometido a una prueba de avalancha del 100%, lo que garantiza su durabilidad y resistencia.
Diseñado para aplicaciones de canal de control de canal N , el MOSFET VS3603GPMT proporciona una disipación de potencia máxima de 89 W, un voltaje de drenaje-fuente de 30 V y un voltaje de compuerta-fuente de 20 V. Repare su tablero hash con confianza utilizando el MOSFET de potencia avanzado de canal N VS3603GPMT.
Parámetros del producto VS3603GPMT:
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Designador de tipo | VS3603GPMT |
| Código de marcado | 3603GPMT |
| Tipo de transistor | MOSFET |
| Tipo de canal de control | Canal N |
| Disipación máxima de potencia (Pd) | 89 W |
| Voltaje máximo de drenaje-fuente (Vds) | 30 voltios |
| Voltaje máximo de compuerta-fuente (Vgs) | 20 voltios |
| Tensión máxima de umbral de compuerta (Vgs(th)) | 2,2 voltios |
| Corriente máxima de drenaje (Id) | 200 A |
| Temperatura máxima de unión (Tj) | 150 °C |
| Carga total de la compuerta (Qg) | 102 nC |
| Tiempo de subida (tr) | 83 nS |
| Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) | 5170 pF |
| Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds) | 0,0021 ohmios |
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