Actualice su placa Hash con el MOSFET de potencia avanzada VS3603GPMT

El MOSFET de potencia avanzada de canal N VS3603GPMT de 30 V/200 A es el reemplazo perfecto para un chip MOS fallido en su placa hash. Utilizando la avanzada tecnología de empaquetado PDFN5*6, este MOSFET ofrece rendimiento y confiabilidad excepcionales.

MOSFET de canal N de alta eficiencia para reparaciones confiables de placas hash

Con modo de mejora y muy baja resistencia, el MOSFET VS3603GPMT garantiza una gestión eficiente de la energía. Con la tecnología VitoMOS® II, ofrece capacidades de conmutación rápida, optimizando el rendimiento general de su placa hash de criptominero . El MOSFET ha sido sometido a una prueba de avalancha 100%, garantizando su durabilidad y resistencia.

Diseñado para aplicaciones de canal de control de canal N , el MOSFET VS3603GPMT proporciona una disipación de potencia máxima de 89 W, un voltaje de fuente de drenaje de 30 V y un voltaje de fuente de puerta de 20 V. Repare su tablero hash con confianza utilizando el MOSFET de potencia avanzada de canal N VS3603GPMT.

Parametros del producto: