WMJ36N65F2 650 V Canal N SJ-MOSFET TO-247 Paquete
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WMJ36N65F2 SJ-MOSFET de canal N de 650 V y alto rendimiento (TO-247)
Mejore la eficiencia y la fiabilidad de sus dispositivos electrónicos de alta potencia con el WMJ36N65F2 , un MOSFET de canal N de Super-Junction de segunda generación, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida. Su diodo de cuerpo rápido ofrece un rendimiento mejorado de recuperación inversa, lo que lo hace ideal para diseños modernos de SMPS, PFC, inversores y control industrial.
SJ-MOSFET de conmutación rápida para aplicaciones de alta potencia
El WMJ36N65F2 presenta baja R DS(on) , alta capacidad de avalancha y un robusto rendimiento térmico en un encapsulado TO-247 . Esto garantiza bajas pérdidas de conducción, menor aumento de temperatura y estabilidad a largo plazo incluso bajo cargas pesadas.
Parámetros del producto WMJ36N65F2:
| Voltaje de drenaje-fuente (V DS ) | 650 V |
| Máx. R DS(encendido) a V GS = 10 V | 0,105 Ω |
| Corriente de drenaje continua (I D ) | 36 A a 25 °C |
| Disipación de potencia (P D ) | 277 W a 25 °C |
| Voltaje de compuerta-fuente (V GS ) | ±30 V |
| Voltaje de umbral de puerta (V GS(th) ) | Típico 4V |
| Máx. V DS a T J,máx. | 700 V |
| R DS(on) típico | 0,087 Ω |
Características del modelo WMJ36N65F2:
- MOSFET de superunión de segunda generación
- Diodo de cuerpo rápido para conmutación de alta frecuencia
- Alta resistencia a avalanchas (100 % probado por UIS)
- Baja R DS(on) para pérdidas de conducción reducidas
- Alta tolerancia dv/dt
- Recubrimiento libre de plomo y halógenos
Aplicaciones comunes:
- Servidores y fuentes de alimentación industriales
- Etapas de potencia del PFC
- Inversores solares y cargadores de baterías
- Control de motores y accionamientos industriales
- Plataformas de conversión de energía de alto voltaje
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