WSD20L70DN 20V 70A MOSFET de canal P de alto rendimiento para convertidores reductores síncronos
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MOSFET de canal P WSD20L70DN: tecnología de trinchera avanzada para una conversión de energía eficiente
El MOSFET de canal P WSD20L70DN es una solución de vanguardia diseñada específicamente para aplicaciones de convertidores reductores síncronos. Con su avanzada tecnología de trinchera de alta densidad de celdas, este MOSFET ofrece un rendimiento excepcional en términos de resistencia en estado activado de fuente de drenaje (RDSON ) y características de carga de compuerta, lo que garantiza una conversión de energía altamente eficiente.
MOSFET de canal P de alto rendimiento para convertidores Buck síncronos
Con una carga de compuerta ultrabaja y tecnología de trinchera avanzada, el MOSFET WSD20L70DN minimiza las pérdidas de potencia y maximiza la eficiencia de conversión de potencia . También ofrece una excelente atenuación de CdV/dt, lo que proporciona un funcionamiento estable y confiable incluso en entornos exigentes.
Rendimiento y confiabilidad superiores para sincronización de punto de carga de alta frecuencia
Con una corriente de drenaje máxima de 70 A y una resistencia de estado encendido baja de 0,0079 ohmios, el WSD20L70DN es perfecto para aplicaciones de alta potencia . Su diseño robusto le permite funcionar en un amplio rango de temperaturas, con una temperatura de unión máxima de 150 °C, lo que garantiza un rendimiento confiable en diversas condiciones.
Parámetros técnicos del modelo WSD20L70DN:
| Características técnicas | |
|---|---|
| Designador de tipo | WSD20L70DN |
| Tipo de transistor | MOSFET |
| Canal de control | Canal P |
| Disipación máxima de potencia (Pd) | 83W |
| Voltaje máximo de drenaje-fuente | Vds |
| Voltaje máximo de compuerta-fuente | Vgs |
| Tensión máxima de umbral de compuerta | Vgs(th) |
| Corriente máxima de drenaje | Identificación |
| Temperatura máxima de unión (Tj) | 150°C |
| Carga total de la puerta (Qg) | 70 nC |
| Tiempo de subida (tr) | 52nS |
| Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) | 927pF |
| Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds) | 0,0079 ohmios |
| Paquete | DFN3X3-8 |
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