MOSFET de canal P WSD20L70DN: tecnología avanzada de zanjas para una conversión de energía eficiente

El MOSFET de canal P WSD20L70DN es una solución de vanguardia diseñada específicamente para aplicaciones de convertidor reductor síncrono. Con su avanzada tecnología de trinchera de alta densidad de células, este MOSFET ofrece un rendimiento excepcional en términos de RDSON (resistencia en estado de fuente de drenaje) y características de carga de puerta, lo que garantiza una conversión de energía altamente eficiente.

MOSFET de canal P de alto rendimiento para convertidores reductores síncronos

Con una carga de compuerta ultrabaja y tecnología de zanja avanzada, el MOSFET WSD20L70DN minimiza las pérdidas de energía y maximiza la eficiencia de conversión de energía . También ofrece una excelente atenuación CdV/dt, proporcionando un funcionamiento estable y confiable incluso en entornos exigentes.

Rendimiento y confiabilidad superiores para la sincronización del punto de carga de alta frecuencia

Con una corriente de drenaje máxima de 70 A y una baja resistencia en estado de encendido de 0,0079 ohmios, el WSD20L70DN es perfecto para aplicaciones de alta potencia . Su diseño robusto le permite operar dentro de un amplio rango de temperatura, con una temperatura máxima de unión de 150 °C, lo que garantiza un rendimiento confiable en diversas condiciones.

El MOSFET WSD20L70DN es una opción ideal para convertidores reductores y sincronización de punto de carga de alta frecuencia. Sus aplicaciones versátiles incluyen criptomineros, placas base, portátiles, PC ultramóviles (UMPC), tarjetas gráficas, sistemas de alimentación CC-CC en red e interruptores de carga.

Mejore su eficiencia de conversión de energía con el MOSFET de canal P WSD20L70DN , equipado con tecnología de zanja avanzada para un rendimiento y confiabilidad superiores.

Parámetros técnicos: