ZM035P03N Iceriver KS3L Hashboard - MOSFET de potencia de canal P

MOSFET de potencia de canal P ZM035P03N | Reemplazo de -30 V / -90 A con bajo RDS(on) para la reparación de la placa hash Iceriver KS3L

El ZM035P03N es un MOSFET de potencia de canal P de trinchera con VDS de -30 V, RDS(on) de 3,5 mΩ y corriente de drenaje continua de -90 A, diseñado para las posiciones de conmutación de potencia local en la placa hash Iceriver KS3L. La arquitectura de trinchera ofrece una alta fiabilidad de GOX y una baja resistencia térmica, ideal para el funcionamiento continuo de alta carga de la minería ASIC 24/7. Reemplazo directo cuando el original falla.

Los MOSFET de canal P de trinchera se encuentran en el lado alto de las configuraciones de conmutación: interruptores de carga, controladores de motor BLDC y etapas primarias de convertidores CC-CC. En la placa hash KS3L, las posiciones ZM035P03N proporcionan una activación/desactivación de energía local que el riel principal no puede manejar solo. Cuando uno falla, el grupo de chips afectado normalmente pierde su suministro y el escaneo de la placa hash informa que las posiciones de los chips correspondientes faltan.

Cuándo reemplazar el ZM035P03N

• Grupo de chips fuera de línea en la placa hash KS3L: la puerta de alimentación local falló, los chips afectados se caen.
• Cortocircuito de drenaje a fuente medido en el dispositivo sospechoso: modo de falla de cortocircuito.
• Exceso de calor en el MOSFET bajo carga normal: RDS(on) degradado, el estrés térmico se acelera.
• Daños visibles en el paquete: marcas de quemaduras, grietas o quemaduras a nivel de la almohadilla después de un evento de falla.

Especificaciones del ZM035P03N

Preguntas frecuentes — MOSFET de canal P ZM035P03N

P: ¿Canal P vs. canal N, importa para la sustitución?
R: Sí, la polaridad es completamente diferente. El ZM035P03N es de canal P; la sustitución por un dispositivo de canal N con el mismo VDS/ID provocaría un cortocircuito en el circuito de la puerta y probablemente destruiría el controlador circundante. Siempre se debe igualar el tipo de canal exactamente.

P: ¿Cómo pruebo el MOSFET en circuito?
R: Apague la placa. Con el modo de prueba de diodos del DMM, mida de fuente a drenaje (hacia adelante y hacia atrás): un MOSFET de canal P saludable muestra el diodo de cuerpo en una dirección, OL en la otra. Un cortocircuito lee 0 Ω en ambas direcciones. Un circuito abierto lee OL en ambas direcciones.

P: ¿Perfil de retrabajo?
R: MOSFET de potencia SMD con almohadilla de drenaje expuesta: necesita un precalentamiento completo y un tiempo de permanencia adecuado con aire caliente para liberar la unión térmica. Precaliente a 100 °C, aire caliente a 320 °C con pasta fundente, permita un tiempo de permanencia adicional en comparación con un MOSFET de señal estándar.

P: ¿Precios al por mayor?
R: Sí, envíe un correo electrónico a contact@lys-sz.com para conocer las cantidades de cinta y carrete de las existencias de ZM035P03N para los bancos de reparación de placas hash KS3L.

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