Placa base del MOSFET Whatsminer H3 CB2 V8 de 2N7002LT1G 702 60V 115mA SMD
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About the Product
Repare su controlador CB2_V8 con el transistor MOSFET 2N7002LT1G
Presentamos el 2N7002LT1G, la solución definitiva para placas de control de alto rendimiento . Este transistor de efecto de campo MOSFET SMD está diseñado específicamente para cumplir con los exigentes requisitos de las aplicaciones de placas de control modernas. Con sus impresionantes características y rendimiento confiable, es la opción perfecta para alimentar su placa base Whatsminer H3 .
El 2N7002LT1G es un MOSFET de tipo FET de canal N que aprovecha la potencia de la tecnología de óxido metálico. Está diseñado para ofrecer un rendimiento y una fiabilidad excepcionales, lo que garantiza una funcionalidad óptima para su placa de control.
La solución definitiva para la placa de control CB2_V8 de Whatsminer H3
Diseñado con la durabilidad en mente, este MOSFET viene en un paquete SOT-23 compacto , lo que facilita su integración en su placa de control. Además, está específicamente marcado con "702" en la pantalla de seda , lo que indica compatibilidad con las placas base Whatsminer H3. Aproveche sus funciones avanzadas para optimizar la funcionalidad de su placa base Whatsminer H3 .
Tabla de características técnicas:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (Óxido Metálico) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 voltios |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) | 115 mA (Tc) |
| Rds activado (máximo) @ Id, Vgs | 7,5 Ω a 500 mA, 10 V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id | 2,5 V a 250 µA |
| Vgs (máximo) | ±20 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) | 50 pF a 25 V |
| Disipación de potencia (máxima) | 225 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
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