Repare su controlador CB2_V8 con el transistor MOSFET 2N7002LT1G
Presentamos el 2N7002LT1G, la solución definitiva para tableros de control de alto rendimiento . Este transistor de efecto de campo SMD MOSFET está diseñado específicamente para cumplir con los exigentes requisitos de las aplicaciones modernas de tableros de control. Con sus impresionantes características y rendimiento confiable, es la elección perfecta para encender su placa base Whatsminer H3 .
El 2N7002LT1G es un MOSFET tipo FET de canal N que aprovecha el poder de la tecnología de óxido metálico. Está diseñado para ofrecer un rendimiento y confiabilidad excepcionales, asegurando una funcionalidad óptima para su tablero de control.
La solución definitiva para el tablero de control Whatsminer H3 CB2_V8
Con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 60 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 115 mA a 25 °C (Tc), este MOSFET proporciona la energía necesaria para el funcionamiento de su tablero de control. El Rds On máximo es de 7,5 Ω a 500 mA y 10 V, lo que permite un flujo de corriente eficiente.
El 2N7002LT1G tiene un voltaje umbral máximo de puerta-fuente (Vgs(th)) de 2,5 V a 250 µA y un voltaje máximo de puerta-fuente (Vgs) de ±20 V. Cuenta con una capacitancia de entrada (Ciss) de 50 pF a 25 V, lo que garantiza un procesamiento de señal eficaz.
Diseñado pensando en la durabilidad, este MOSFET viene en un paquete SOT-23 compacto , lo que facilita su integración en su tablero de control. Además, está marcado específicamente con "702" en la pantalla de seda , lo que indica compatibilidad con las placas base Whatsminer H3.
Operando dentro de un amplio rango de temperatura de -55°C a 150°C (TJ), el 2N7002LT1G está diseñado para soportar entornos desafiantes y ofrecer un rendimiento constante .
Actualice su tablero de control con el innovador transistor MOSFET 2N7002LT1G y experimente los beneficios del alto rendimiento y la confiabilidad. Aprovecha sus funciones avanzadas para optimizar la funcionalidad de tu placa base Whatsminer H3 .
Tabla de Características Técnicas:
Característica |
Especificación |
Tipo FET |
Canal N |
Tecnología |
MOSFET (óxido metálico) |
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) |
60 voltios |
Corriente - Drenaje continuo (Id) |
115mA (Tc) |
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs |
7,5 Ω a 500 mA, 10 V |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. |
2,5 V a 250 µA |
Vgs (máx.) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) |
50 pF a 25 V |
Disipación de energía (máx.) |
225mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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