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  • 2N7002LT1G 702 60V 115mA SMD MOSFET Whatsminer H3 CB2 V8 Motherboard
  • Repair your CB2_V8 Controller with the 2N7002LT1G MOSFET Transistor
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Placa base del MOSFET Whatsminer H3 CB2 V8 de 2N7002LT1G 702 60V 115mA SMD

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Repare su controlador CB2_V8 con el transistor MOSFET 2N7002LT1G

Presentamos el 2N7002LT1G, la solución definitiva para placas de control de alto rendimiento . Este transistor de efecto de campo MOSFET SMD está diseñado específicamente para satisfacer las exigentes necesidades de las aplicaciones modernas de placas de control. Con sus impresionantes características y rendimiento fiable, es la opción ideal para alimentar su placa base Whatsminer H3 .


La solución definitiva para la placa de control CB2_V8 de Whatsminer H3

Diseñado pensando en la durabilidad, este MOSFET viene en un encapsulado SOT-23 compacto , lo que facilita su integración en su placa de control. Además, está marcado con "702" en la serigrafía , lo que indica su compatibilidad con las placas base Whatsminer H3. Aproveche sus funciones avanzadas para optimizar la funcionalidad de su placa base Whatsminer H3 .

Tabla de características técnicas:

Característica Especificación
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Óxido metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) 115 mA (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 7,5 Ω a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2,5 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) 50 pF a 25 V
Disipación de potencia (máx.) 225 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)

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