2N7002NXAKR tCM 53A 600V Transistor de Efecto de Campo de Modo de Mejora de Canal N
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Conmutación de alta velocidad y protección ESD 2N7002NXAKR tCM FET de canal N
Actualice sus circuitos electrónicos con el transistor de efecto de campo (FET) de canal N tCM 2N7002NXAKR de alto rendimiento . Este FET, empaquetado en un pequeño encapsulado plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23, está diseñado con tecnología de MOSFET de trinchera para un rendimiento óptimo.
Encapsulado SOT23 pequeño | Tecnología MOSFET de trinchera | Aplicaciones versátiles
Con una corriente nominal máxima de 53 A y una tensión nominal de 600 V , este FET de canal N es adecuado para diversas aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Ofrece un rendimiento eficiente y confiable, lo que lo hace ideal para controladores de relé, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga de lado bajo y circuitos de conmutación.
Características técnicas:
| Característica técnica | Especificación |
|---|---|
| Corriente nominal máxima | 53A |
| Clasificación de voltaje | 600 V |
| Paquete | SOT23 |
| Tecnología | MOSFET de trinchera |
| Protección | Protegido contra ESD |
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