2N7002NXAKR tCM 53A 600V Modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo (FET) Paquete SOT23

Conmutación de alta velocidad y protección ESD 2N7002NXAKR tCM FET de canal N

Actualice sus circuitos electrónicos con el transistor de efecto de campo (FET) de canal N tCM 2N7002NXAKR de alto rendimiento . Este FET, empaquetado en un pequeño encapsulado plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23, está diseñado con tecnología de MOSFET de trinchera para un rendimiento óptimo.

Encapsulado SOT23 pequeño | Tecnología MOSFET de trinchera | Aplicaciones versátiles

Con una corriente nominal máxima de 53 A y una tensión nominal de 600 V , este FET de canal N es adecuado para diversas aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad. Ofrece un rendimiento eficiente y confiable, lo que lo hace ideal para controladores de relé, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga de lado bajo y circuitos de conmutación.

Características técnicas: