Actualice su dispositivo con el MOSFET de canal N AONS32311

Presentamos el MOSFET de canal N AONS32311 , la mejor opción para aplicaciones de alta corriente en dispositivos electrónicos. Ya sea que necesite reemplazar tubos MOS en tableros hash o necesite una entrega de energía sólida para cargar y descargar la batería, este chip MOS está diseñado para satisfacer sus necesidades.

Libere capacidades de alta corriente con la tecnología MOSFET Trench Power

Con tecnología MOSFET de potencia de trinchera, el AONS32311 ofrece un rendimiento excepcional con su bajo RDS (ON) y baja carga de puerta. Puede manejar altas corrientes, lo que lo hace perfecto también para aplicaciones de motores. Con un VDS de 30 V, un ID de 220 A y un RDS (ON) de <1,35 mΩ a VGS=10 V o <1,9 mΩ a VGS=4,5 V, este MOSFET mejora el rendimiento general de sus dispositivos electrónicos.

El AONS32311 viene en un paquete DFN 5x6 compacto y fácil de instalar, lo que garantiza una solución confiable y eficiente para sus requisitos de alta corriente. Actualice su tecnología MOSFET de potencia hoy y libere todo el potencial de sus dispositivos con el MOSFET de canal N AONS32311.

Características técnicas: