MOSFET de canal N AONS32311 para aplicaciones de alta corriente
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Actualice su dispositivo con el MOSFET de canal N AONS32311
Presentamos el MOSFET de canal N AONS32311 , la mejor opción para aplicaciones de alta corriente en dispositivos electrónicos. Ya sea que necesite reemplazar tubos MOS en placas hash o requiera un suministro de energía robusto para cargar y descargar baterías, este chip MOS está diseñado para satisfacer sus necesidades.
Libere capacidades de alta corriente con la tecnología MOSFET de potencia Trench
El AONS32311, que cuenta con tecnología MOSFET de potencia de trinchera, ofrece un rendimiento excepcional con su bajo RDS(ON) y baja carga de compuerta. Puede manejar corrientes altas, lo que lo convierte en una opción perfecta también para aplicaciones de motor. Con un VDS de 30 V, un ID de 220 A y un RDS(ON) de <1,35 mΩ a VGS=10 V o <1,9 mΩ a VGS=4,5 V, este MOSFET mejora el rendimiento general de sus dispositivos electrónicos.
El AONS32311 se presenta en un paquete DFN 5x6 compacto y fácil de instalar, lo que garantiza una solución confiable y eficiente para sus requisitos de alta corriente. Actualice su tecnología MOSFET de potencia hoy y libere todo el potencial de sus dispositivos con el MOSFET de canal N AONS32311.
Características técnicas del AONS32311:
| Tipo MOSFET | Canal N |
|---|---|
| VDS | 30 V |
| IDENTIFICACIÓN | 220A |
| RDS(ACTIVADO) | <1,35 mΩ (VGS=10 V), <1,9 mΩ (VGS=4,5 V) |
| Cargo por entrada | Bajo |
| Paquete | DFN5x6 |
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