Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de canal N ASW65R041E

El ASW65R041E es un MOSFET de canal N de alta calidad diseñado para ofrecer un control de potencia eficiente y un rendimiento confiable. Con su baja resistencia de conexión de la fuente de drenaje y su fácil control de conmutación de compuerta, este MOSFET es ideal para una amplia gama de aplicaciones, incluida la conmutación suave Boost PFC, HB o AHB, puente LLC, topologías de puente completo y puente de desplazamiento de fase (ZVS). ) configuraciones.

Con una baja resistencia de conexión de la fuente de drenaje (RDS(ON)) de 0,034 Ω (típica), el ASW65R041E minimiza la pérdida de energía y garantiza una entrega de energía eficiente. Su sencillo control de conmutación de puerta permite un funcionamiento suave y preciso, mejorando el rendimiento general del sistema.

Conmutación de puerta optimizada y aplicaciones versátiles para sistemas de energía

El ASW65R041E funciona en modo de mejora, con un voltaje umbral (Vth) que oscila entre 2,8 V y 2 V. Este modo permite facilidad de uso y flexibilidad en varios diseños de sistemas de energía.

Con un VDsTj (voltaje de fuente de drenaje a temperatura máxima de unión) máximo de 700 V, el ASW65R041E ofrece un rendimiento confiable incluso en aplicaciones exigentes de alto voltaje. La resistencia máxima de encendido (RD (encendido)) de 41 mΩ garantiza un flujo de energía eficiente y una generación de calor reducida.

Características técnicas:

Parametros del producto:

• VDsTjmax (voltaje máximo de drenaje-fuente a temperatura máxima de unión): 700 V
• RD (encendido), máximo (resistencia máxima de encendido de fuente de drenaje): 41 mΩ
• Qg,typ (carga total típica de la puerta): 133,5 nC
• ID.pulse (corriente de drenaje pulsada): 240A