MOSFET de canal N de baja resistencia y fuente de drenaje ASW65R041E: control de potencia eficiente y rendimiento confiable

Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de canal N ASW65R041E

El ASW65R041E es un MOSFET de canal N de alta calidad diseñado para ofrecer un control de potencia eficiente y un rendimiento confiable. Con su baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje y su fácil control de conmutación de compuerta, este MOSFET es ideal para una amplia gama de aplicaciones, incluidas las configuraciones de conmutación suave Boost PFC, HB o AHB, puente LLC, topologías de puente completo y puente de desplazamiento de fase (ZVS).

Conmutación de compuertas optimizada y aplicaciones versátiles para sistemas de energía

El ASW65R041E funciona en modo de mejora, con un voltaje de umbral (Vth) que varía de 2,8 V a 2 V. Este modo permite facilidad de uso y flexibilidad en varios diseños de sistemas de energía.

ASW65R041E Características técnicas:

ASW65R041E Parámetros:

• VDsTjmax (voltaje máximo de drenaje-fuente a temperatura máxima de unión): 700 V
• RDs(on),max (resistencia máxima de encendido de drenaje-fuente): 41 mΩ
• Qg,typ (carga de compuerta total típica): 133,5 nC
• ID.pulse (corriente de drenaje pulsada): 240 A