MOSFET de canal N de baja resistencia y fuente de drenaje ASW65R041E
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Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de canal N ASW65R041E
El ASW65R041E es un MOSFET de canal N de alta calidad diseñado para ofrecer un control de potencia eficiente y un rendimiento confiable. Con su baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje y su fácil control de conmutación de compuerta, este MOSFET es ideal para una amplia gama de aplicaciones, incluidas las configuraciones de conmutación suave Boost PFC, HB o AHB, puente LLC, topologías de puente completo y puente de desplazamiento de fase (ZVS).
Conmutación de compuertas optimizada y aplicaciones versátiles para sistemas de energía
El ASW65R041E funciona en modo de mejora, con un voltaje de umbral (Vth) que varía de 2,8 V a 2 V. Este modo permite facilidad de uso y flexibilidad en varios diseños de sistemas de energía.
ASW65R041E Características técnicas:
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje | RDS(ON) ultrabajo para minimizar la pérdida de potencia |
| Control de conmutación de puerta fácil | Control simplificado de conmutación de compuerta para una operación precisa |
| Modo de mejora | Funciona en modo de mejora para mayor versatilidad en sistemas de energía. |
ASW65R041E Parámetros:
- VDsTjmax (voltaje máximo de drenaje-fuente a temperatura máxima de unión): 700 V
- RDs(on),max (resistencia máxima de encendido de drenaje-fuente): 41 mΩ
- Qg,typ (carga de compuerta total típica): 133,5 nC
- ID.pulse (corriente de drenaje pulsada): 240 A
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