Diodos de barrera Schottky de alto rendimiento para mejorar la eficiencia del circuito

Mejore la eficiencia de su circuito con los diodos de barrera Schottky SMD B5817W 1A 40V. Diseñado para aplicaciones de bajo voltaje y alta frecuencia, este diodo está marcado con serigrafía como SJ y viene en un paquete SOD-123, lo que lo convierte en el complemento perfecto para su tablero hash Avalon.

Descubra los potentes diodos de barrera Schottky SMD B5817W 1A 40V

Con impresionantes parámetros de rendimiento, este diodo cuenta con un tiempo de recuperación rápida de =< 500 ns y una corriente rectificada promedio de 1 A, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alto rendimiento. Además, el diodo funciona a un voltaje - CC inverso (Vr) (Max) de 20 V y un voltaje - directo (Vf) (Max) @ If de 750 mV @ 3 A, lo que lo convierte en una excelente opción para las necesidades de protección de polaridad y funcionamiento libre de su circuito. .

Diseñados para aplicaciones de montaje en superficie, los diodos de barrera Schottky SMD B5817W 1A 40V también cuentan con una corriente - fuga inversa @ Vr de 1 mA @ 20 V y una capacitancia @ Vr, F de 120 pF @ 4 V, 1 MHz, lo que garantiza que su circuito funcione con una eficiencia óptima.

Con una temperatura de funcionamiento - unión de -65 °C ~ 125 °C, este diodo de barrera Schottky puede soportar fácilmente entornos hostiles, lo que lo convierte en una excelente opción para sus necesidades de circuito. Actualice su circuito hoy con los diodos de barrera Schottky SMD B5817W 1A 40V.

Parametros del producto:

• Tecnología: Schottky
• Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): 20 V
• Corriente - Promedio Rectificado (Io): 1A
• Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 750 mV @ 3 A
• Velocidad: Recuperación rápida =< 500 ns, > 200 mA (Io)
• Corriente - Fuga inversa @ Vr: 1 mA @ 20 V
• Capacitancia @ Vr, F: 120 pF @ 4 V, 1 MHz
• Tipo de montaje: Montaje en superficie
• Paquete/Caja: SOD-123
• Temperatura de funcionamiento - Unión: -65°C ~ 125°C
• Número de producto básico: B5817