Ir directamente al contenido
Ir directamente a la información del producto
1 de 2
In Stock — Ready to ship

BSC0901NS MOSFET de gestión de energía de 30V para Antminer

$0.70 USD
$0.70 USD
Oferta Agotado
Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pago.
🇺🇸🇪🇺 USA & European Union: DDP shipping — all import duties & taxes included, no hidden fees.
🌍 Rest of world: Ships from China — local customs fees may apply on delivery.
Get Business Pricing
Secure checkout SSL encryption & invoicing options
Worldwide shipping Export-ready customs documentation
QC-tested spare parts Specialized in ASIC miner hardware
Technical support Assistance from mining engineers

Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.

💬 Contact Us on WhatsApp

About the Product

Optimice la gestión de energía con el MOSFET OptiMOS BSC0901NS

Actualice su sistema de administración de energía con el MOSFET de administración de energía OptiMOS 30V Antminer S9 BSC0901NS . Diseñados para un control de energía eficaz, estos MOSFET ofrecen una carga de compuerta y de salida ultrabaja, así como la resistencia en estado encendido más baja en paquetes pequeños. Con un comportamiento EMI especial para reducir la interferencia, estos MOSFET son ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluidas las placas hash de criptomineros Antminer , cargadores integrados, placas base de computadoras, conversión CC-CC, VRD/VRM, control de motores y aplicaciones LED.

MOSFET de potencia de alto rendimiento para Antminer S9 y más

Los MOSFET OptiMOS BSC0901NS son FET de canal N con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V , lo que los hace adecuados para diversos requisitos de administración de energía. Con una corriente de drenaje continua (Id) de 28 A (Ta) y 100 A (Tc), estos MOSFET brindan un rendimiento confiable en condiciones exigentes .

BSC0901NS Características técnicas:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores - FET, MOSFET - Sencillos

Paquete

Cinta y carrete (TR)

Estado de la pieza

Activo

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 voltios

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C

28 A (Ta), 100 A (Tc)

Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)

4,5 V, 10 V

Rds activado (máximo) @ Id, Vgs

1,9 mOhm a 30 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id

2,2 V a 250 µA

Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs

44 nC a 10 V

Vgs (máximo)

±20 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds

2800 pF a 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máxima)

2,5 W (Ta), 69 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Paquete / Caja

8-PoderTDFN

Número de producto base

Licenciatura en Ciencias Económicas y Empresariales (BSC0901)

📦 Shipping & Customs

🇺🇸🇪🇺 USA & European Union (DDP):
Orders are delivered DDP. All customs duties, import taxes, and fees are included — no additional charges on delivery.

🌍 Rest of world:
Orders ship from China. Depending on your country, local customs authorities may apply import duties or taxes.

Ver todos los detalles
B2B · Wholesale

Buying in bulk for a mining farm or repair shop?

Get dedicated B2B pricing on this part and across our full catalog — quote response within 24 hours, payment by T/T USD bank wire, and DDP delivery available for US & EU customers (and other lanes on request).

Volume tiers DDP for US & EU T/T USD wire 24h response
Te podría gustar