Ir directamente al contenido
Ir directamente a la información del producto
1 de 1

CRJQ30N60G2F 600 V 83 A MOSFET de potencia de canal N para fuente de alimentación de minero ASIC

$2.95 USD
$2.95 USD
Oferta Agotado
Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pago.

Detalles adicionales

Los gastos de envío se calcularán automáticamente durante el proceso de pago.

Comuníquese con nosotros a través del formulario de contacto para obtener más información y asistencia.

Pago seguro con
  • Visa
  • Mastercard
  • American Express
  • Apple Pay
  • Union Pay
  • Maestro
  • Bitcoin
  • Discover

About the Product

CRJQ30N60G2F MOSFET de potencia de canal N de 600 V y 83 A

Mejore la eficiencia y la confiabilidad de la fuente de alimentación de su minero ASIC con el MOSFET de potencia de canal N CRJQ30N60G2F de 600 V y 83 A. Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para reemplazar componentes defectuosos, lo que garantiza que sus operaciones mineras se mantengan ininterrumpidas y eficientes. Al utilizar la tecnología de superunión CRM CQ, el CRJQ30N60G2F ofrece una eficiencia superior en estado encendido con un rendimiento Ron*A mucho menor y capacidades de conmutación rápidas debido a su FOM más bajo.

Actualice la fuente de alimentación de su minero ASIC con CRJQ30N60G2F

Este MOSFET es versátil y adecuado para diversas aplicaciones, incluidas la iluminación de televisores y monitores LED/LCD/PDP, sistemas de energía solar y renovable, sistemas de microinversores UPS, cargadores y, lo más importante, fuentes de alimentación para mineros ASIC. Con un RDS(on) típico de 28 mΩ y una corriente de drenaje (ID) de 83 A, el CRJQ30N60G2F garantiza un rendimiento sólido en condiciones exigentes, lo que lo convierte en un componente esencial para cualquiera que busque optimizar su configuración de minería de criptomonedas.

Características del MOSFET de potencia de canal N de 600 V CRJQ30N60G2F

Invertir en el CRJQ30N60G2F significa invertir en durabilidad, eficiencia y longevidad de su equipo de minería. Mantenga sus operaciones funcionando sin problemas y de manera eficiente con este MOSFET de potencia de alta calidad.

Tabla de características técnicas

Característica Especificación
Voltaje de drenaje-fuente (VDS) 600 V
Resistencia de drenaje-fuente (RDS(on)) 28 mΩ
Drenaje de corriente (ID) 83A
Tecnología Super Unión CRM CQ
Eficiencia en el estado Rendimiento inferior de Ron*A
Eficiencia de conmutación FOM inferior
Ver todos los detalles

Tienes preguntas?

Si desea obtener más información sobre nosotros y nuestros productos, ¡contáctenos!

Datos de contacto

LYS-SZ

+86 182 1872 0821