CRJQ30N60G2F 600 V 83 A MOSFET de potencia de canal N para fuente de alimentación de minero ASIC
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MOSFET de potencia de canal N CRJQ30N60G2F 600 V 83 A
Mejore la eficiencia y la confiabilidad de la fuente de alimentación de su minero ASIC con el MOSFET de potencia de canal N CRJQ30N60G2F de 600 V y 83 A. Este MOSFET de alto rendimiento está diseñado para reemplazar componentes defectuosos, lo que garantiza que sus operaciones mineras se mantengan ininterrumpidas y eficientes. Al utilizar la tecnología de superunión CRM CQ, el CRJQ30N60G2F ofrece una eficiencia superior en estado encendido con un rendimiento Ron*A mucho menor y capacidades de conmutación rápidas debido a su FOM más bajo.
Actualice la fuente de alimentación de su minero ASIC con CRJQ30N60G2F
Este MOSFET es versátil y adecuado para diversas aplicaciones, incluidas la iluminación de televisores y monitores LED/LCD/PDP, sistemas de energía solar y renovable, sistemas de microinversores UPS, cargadores y, lo más importante, fuentes de alimentación para mineros ASIC. Con un RDS(on) típico de 28 mΩ y una corriente de drenaje (ID) de 83 A, el CRJQ30N60G2F garantiza un rendimiento sólido en condiciones exigentes, lo que lo convierte en un componente esencial para cualquiera que busque optimizar su configuración de minería de criptomonedas.
Características del MOSFET de potencia de canal N de 600 V CRJQ30N60G2F
Invertir en el CRJQ30N60G2F significa invertir en durabilidad, eficiencia y longevidad de su equipo de minería. Mantenga sus operaciones funcionando sin problemas y de manera eficiente con este MOSFET de potencia de alta calidad.
Tabla de características técnicas del CRJQ30N60G2F
Característica | Especificación |
---|---|
Voltaje de drenaje-fuente (VDS) | 600 V |
Resistencia de drenaje-fuente (RDS(on)) | 28 mΩ |
Drenaje de corriente (ID) | 83A |
Tecnología | Super Unión CRM CQ |
Eficiencia en el estado | Rendimiento inferior de Ron*A |
Eficiencia de conmutación | FOM inferior |


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