DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFET P-Channel 30V 34A 8SOP Hashboard reemplazo IC Antminer S11 S15 T15
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About the Product
MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad para mineros de criptomonedas Antminer S11, S15 y T15
Mejore el rendimiento de sus criptomineros de las series Antminer S11, S15 y T15 con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 de alta calidad de LYS-SZ. Diseñado específicamente para aplicaciones de criptominería, este MOSFET ofrece una gestión de energía excepcional, minimizando el RDS(ON) y brindando un excelente rendimiento de conmutación.
MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13 eficiente y confiable para aplicaciones de criptominería
El MOSFET DMP34M4SPS-13 tiene un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 34 A a 25 °C (Ta), lo que lo hace ideal para manejar los exigentes requisitos de energía de los equipos de criptominería. Sus bajos requisitos de voltaje de excitación y un Rds On máximo de 4,8 mOhm a 17 A, 10 V garantizan un flujo de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas.
Optimice la gestión de energía en Antminer S11, S15, T15 con el MOSFET de canal P DMP34M4SPS-13
Con una carga de compuerta (Qg) de 115 nC a 10 V, el DMP34M4SPS-13 permite un rendimiento de conmutación rápido y con capacidad de respuesta , esencial para operaciones mineras optimizadas. Su Vgs máximo de +20 V y -25 V garantiza la compatibilidad con varias especificaciones de voltaje.
El MOSFET DMP34M4SPS-13 está diseñado para soportar entornos exigentes , con una temperatura de funcionamiento de 150 °C (TJ). Su encapsulado 8-PowerVDFN de montaje en superficie garantiza una fácil integración en su equipo Antminer .
Características técnicas del modelo DMP34M4SPS:
Categoría |
Productos semiconductores discretos |
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos |
|
Serie |
U-MOSVI |
Paquete |
Cinta y carrete (TR) |
Estado de la pieza |
Obsoleto |
Tipo FET |
Canal P |
Tecnología |
MOSFET (Óxido Metálico) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) |
30 voltios |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C |
34A (T) |
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) |
4,5 V, 10 V |
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs |
4,8 mOhm a 17 A, 10 V |
Vgs(th) (Máx.) @ Id |
2 V a 500 µA |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs |
115 nC a 10 V |
Vgs (máximo) |
+20 V, -25 V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds |
4800 pF a 10 V |
Función FET |
- |
Disipación de potencia (máxima) |
1,6 W (Ta), 45 W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
150 °C (TJ) |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Paquete / Caja |
8-PowerVDFN |
Número de producto base |
TLP731 |


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