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  • FDV301N N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
  • FDV301N N-channel Logic Level Enhancement MOSFET Whatsminer CB2 V8 Control Board
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Placa de control MOSFET Whatsminer CB2 V8 de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N

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Mejore el rendimiento con el MOSFET de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N

Mejore el rendimiento de su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el transistor de efecto de campo de canal N FDV301N. Fabricado con la avanzada tecnología DMOS de Fairchild Semiconductor, este MOSFET está diseñado para ofrecer una funcionalidad óptima y mejorar el rendimiento general de su placa de control.

Funcionalidad óptima para su placa de control Whatsminer CB2 V8

El MOSFET FDV301N está diseñado específicamente para minimizar la resistencia de conexión, ofreciendo un reemplazo eficiente para múltiples transistores digitales con valores variables de resistencia de polarización. Con una corriente continua nominal de 0,22 A y una corriente pico de 0,5 A, este MOSFET proporciona un funcionamiento fiable y consistente.

Tabla de características técnicas del FDV301N:

Característica Especificación
Corriente continua 0,22 A
Corriente máxima 0,5 A
RDS(ON) en VGS=4,5 V 4Ω
RDS(ON) en VGS=2,7 V 5 Ω
Voltaje de accionamiento de la compuerta Despreciable
Puerta-Fuente Zener Sí (resistencia ESD con modelo de cuerpo humano >6 kV)
Aplicaciones Placa de control Whatsminer CB2 V8 y otros usos compatibles

Nota para clientes internacionales:

Este producto se envía desde China. Tenga en cuenta que su pedido puede estar sujeto a impuestos de importación, aranceles aduaneros y tasas del país de destino una vez recibido el envío. Estos cargos son responsabilidad del cliente y no están incluidos en el precio del producto ni en los gastos de envío. No podemos predecir el importe de estas tasas, ya que varían según el país.

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