Placa de control MOSFET Whatsminer CB2 V8 de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N
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Mejore el rendimiento con el MOSFET de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N
Mejore el rendimiento de su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el transistor de efecto de campo de canal N FDV301N. Fabricado con la avanzada tecnología DMOS de Fairchild Semiconductor, este MOSFET está diseñado para ofrecer una funcionalidad óptima y mejorar el rendimiento general de su placa de control.
Funcionalidad óptima para su placa de control Whatsminer CB2 V8
El MOSFET FDV301N está diseñado específicamente para minimizar la resistencia de conexión, ofreciendo un reemplazo eficiente para múltiples transistores digitales con valores variables de resistencia de polarización. Con una corriente continua nominal de 0,22 A y una corriente pico de 0,5 A, este MOSFET proporciona un funcionamiento fiable y consistente.
Tabla de características técnicas del FDV301N:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Corriente continua | 0,22 A |
| Corriente máxima | 0,5 A |
| RDS(ON) en VGS=4,5 V | 4Ω |
| RDS(ON) en VGS=2,7 V | 5 Ω |
| Voltaje de accionamiento de la compuerta | Despreciable |
| Puerta-Fuente Zener | Sí (resistencia ESD con modelo de cuerpo humano >6 kV) |
| Aplicaciones | Placa de control Whatsminer CB2 V8 y otros usos compatibles |
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