Placa de control MOSFET Whatsminer CB2 V8 de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N
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Mejore el rendimiento con el MOSFET de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N
Mejore el rendimiento de su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el transistor de efecto de campo de nivel lógico de canal N FDV301N. Fabricado con la tecnología DMOS avanzada de Fairchild Semiconductor, este MOSFET está diseñado para ofrecer una funcionalidad óptima y mejorar el rendimiento general de su placa de control.
Funcionalidad óptima para su placa de control Whatsminer CB2 V8
El MOSFET FDV301N está diseñado específicamente para minimizar la resistencia de encendido, lo que ofrece un reemplazo eficiente para varios transistores digitales con valores de resistencia de polarización variables. Con una corriente nominal continua de 0,22 A y una corriente pico de 0,5 A, este MOSFET proporciona un funcionamiento confiable y constante.
Con valores RDS(ON) bajos de 4Ω y 5Ω a VGS=4,5 V y VGS=2,7 V respectivamente, el FDV301N es perfecto para usar en la placa de control CB2 V8 de Whatsminer . Garantiza un funcionamiento directo sin problemas en circuitos de 3 V con requisitos mínimos de control de compuerta.
Tabla de características técnicas del FDV301N:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Corriente continua | 0,22 A |
| Corriente pico | 0,5 A |
| RDS(ON) en VGS=4,5 V | 4Ω |
| RDS(ON) en VGS=2,7 V | 5Ω |
| Voltaje de accionamiento de la compuerta | Despreciable |
| Puerta-Fuente Zener | Sí (resistencia ESD con modelo de cuerpo humano >6 kV) |
| Aplicaciones | Placa de control CB2 V8 de Whatsminer y otros usos compatibles |
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