Mejore el rendimiento con el MOSFET de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N

Actualice el rendimiento de su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N FDV301N. Fabricado con la avanzada tecnología DMOS de Fairchild Semiconductor, este MOSFET está diseñado para ofrecer una funcionalidad óptima y mejorar el rendimiento general de su placa de control.

Funcionalidad óptima para su tablero de control Whatsminer CB2 V8

El MOSFET FDV301N está diseñado específicamente para minimizar la resistencia, ofreciendo un reemplazo eficiente para múltiples transistores digitales con diferentes valores de resistencia de polarización. Con una clasificación de corriente continua de 0,22 A y una corriente máxima de 0,5 A, este MOSFET proporciona un funcionamiento confiable y consistente.

Con valores RDS(ON) bajos de 4Ω y 5Ω a VGS=4.5V y VGS=2.7V respectivamente, el FDV301N es perfectamente adecuado para su uso en su placa de control Whatsminer CB2 V8 . Garantiza un funcionamiento directo sin interrupciones en circuitos de 3 V con requisitos mínimos de accionamiento de puerta.

Además, el MOSFET FDV301N incorpora un Zener de fuente de puerta para mejorar la resistencia ESD, con una clasificación de modelo de cuerpo humano de más de 6 kV. Esto garantiza un rendimiento fiable y protección contra descargas electrostáticas.

Actualice su tablero de control hoy y diga adiós a los múltiples transistores digitales NPN. Cambie al MOSFET FDV301N y experimente los beneficios de un único DMOS FET, lo que permite una funcionalidad óptima y un rendimiento mejorado .

Tabla de Características Técnicas:

Actualice su placa de control Whatsminer CB2 V8 con el MOSFET FDV301N para obtener un rendimiento mejorado y una funcionalidad óptima. Póngase en contacto con nuestro equipo de ventas hoy para obtener más información y realizar su pedido.