Actualice su fuente de alimentación con el MOSFET de canal N FQP30N06 de alto rendimiento

Mejore el rendimiento de su fuente de alimentación con el potente MOSFET de canal N FQP30N06. Con un voltaje de drenaje a fuente de hasta 60 V y una corriente de drenaje continua de 30 A, este MOSFET está diseñado para manejar aplicaciones de suministro de energía exigentes.

Eficiencia y rendimiento óptimos con MOSFET FQP30N06 para fuentes de alimentación

El MOSFET FQP30N06 cuenta con tecnología de óxido metálico y una capacitancia de entrada de 945 pF, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alto voltaje. Con un Rds On máximo de 40 mOhm y una carga de puerta de 25 nC, ofrece una eficiencia óptima incluso en condiciones de carga pesada. El FET de canal N está alojado en un paquete TO-220-3 , lo que permite una fácil instalación mediante tecnología de orificio pasante.

Operando dentro de un rango de temperatura de -55°C a 175°C, el MOSFET FQP30N06 garantiza un rendimiento confiable incluso en condiciones de trabajo extremas . Actualice su fuente de alimentación hoy con este MOSFET de alto rendimiento , que garantiza una eficiencia óptima y un rendimiento superior.

Características técnicas: