FET GaN de nitruro de galio híbrido normalmente apagado G1N65R035TB-N

FET de GaN híbrido normalmente desactivado G1N65R035TB-N: el mejor rendimiento y confiabilidad de su clase

El G1N65R035TB-N es un transistor de efecto de campo de nitruro de galio (GaN) híbrido de última generación que ofrece la compuerta más potente y la caída de voltaje inverso más baja de cualquier dispositivo de banda ancha. Con un umbral alto, sin necesidad de control de compuerta negativo y una alta tolerancia de voltaje de entrada repetitiva de ±20 V, este dispositivo permite controles de compuerta simples y proporciona el mejor rendimiento de su clase y una excelente confiabilidad.

Principales características, beneficios y aplicaciones

El G1N65R035TB-N también presenta el menor VF de conducción inversa en estado desactivado de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite bajas pérdidas durante el tiempo muerto, así como un QRR bajo para excelentes aplicaciones de puentes de conmutación dura. Su alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad, lo que lo convierte en una opción ideal para conmutación por desplazamiento de fase de alta frecuencia y alta eficiencia, LLC u otras topologías de conmutación.

Características principales del modelo G1N65R035TB-N:

• Puerta fuerte con umbral alto, no requiere controlador de puerta negativa y tolerancia de voltaje de entrada repetitivo alto de ±20 V
• Rápida velocidad de encendido y apagado para reducir la pérdida de cruce
• Bajo QG y accionamiento de compuerta simple para el menor consumo de controlador a altas frecuencias
• El menor VF de conducción inversa en estado desactivado de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite bajas pérdidas durante el tiempo muerto
• Baja QRR para excelentes aplicaciones de puentes de conmutación dura
• La alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad

Beneficios:

• Consiga la máxima eficiencia de conversión
• Permite frecuencias más altas para fuentes de alimentación compactas
• Ahorros en tamaño y costos del producto final debido a un presupuesto térmico reducido
• Mayor seguridad y confiabilidad gracias a una temperatura de funcionamiento más baja

Aplicaciones:

• Circuito PFC Totem Pole, circuito inversor o Buck/Boost de medio puente
• Desplazamiento de fase de alta eficiencia/alta frecuencia, LLC u otras topologías de conmutación