FET GaN híbrido normalmente apagado G1N65R035TB-N: el mejor rendimiento y confiabilidad de su clase

El G1N65R035TB-N es un FET híbrido de nitruro de galio (GaN) normalmente apagado de última generación que ofrece la puerta más potente y la caída de tensión inversa más baja de cualquier dispositivo de banda prohibida amplia. Con un umbral alto, no se requiere accionamiento de puerta negativo y una alta tolerancia de voltaje de entrada repetitiva de ±20 V, este dispositivo permite accionamientos de puerta simples y proporciona el mejor rendimiento de su clase y una excelente confiabilidad. La rápida velocidad de encendido/apagado reduce la pérdida de cruce, mientras que el bajo QG y el simple control de puerta minimizan el consumo del controlador en altas frecuencias.

Funciones, beneficios y aplicaciones clave

El G1N65R035TB-N también presenta el VF de conducción inversa fuera de estado más bajo de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite bajas pérdidas durante el tiempo muerto, así como un QRR bajo para excelentes aplicaciones de puentes de conmutación dura. Su alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad, lo que lo convierte en una opción ideal para alta eficiencia, cambio de fase de alta frecuencia, LLC u otras topologías de conmutación.

Características clave:

• Puerta fuerte con umbral alto, no requiere accionamiento de puerta negativo y alta tolerancia de voltaje de entrada repetitiva de ±20 V
• Rápida velocidad de encendido/apagado para reducir la pérdida de cruce
• QG bajo y accionamiento de puerta simple para el menor consumo del controlador en altas frecuencias
• El VF de conducción inversa fuera de estado más bajo de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite bajas pérdidas durante el tiempo muerto
• QRR bajo para excelentes aplicaciones de puentes de conmutación dura
• La alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad

Beneficios:

• Logre la mayor eficiencia de conversión
• Permite frecuencias más altas para fuentes de alimentación compactas
• Ahorros en costos y tamaño del producto final debido a un presupuesto térmico reducido
• Seguridad y confiabilidad mejoradas debido a una temperatura de funcionamiento más fría

Aplicaciones:

• Reductor/impulsor de medio puente, circuito PFC de tótem o circuito inversor
• Cambio de fase de alta eficiencia/alta frecuencia, LLC u otras topologías de conmutación