El IKW75N60T, también conocido como K75T60 , es un potente transistor comúnmente utilizado en convertidores de frecuencia y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. Con sus impresionantes especificaciones y características, este transistor ofrece un rendimiento y confiabilidad excepcionales.
Transistor IKW75N60T K75T60 de alto rendimiento para convertidores de frecuencia y aplicaciones de fuente de alimentación
Con un VCE(sat) muy bajo de 1,5 V (típico), el IKW75N60T garantiza una transferencia de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas. Con una temperatura de unión máxima de 175 °C, exhibe una excelente estabilidad térmica, lo que permite un funcionamiento confiable incluso en condiciones exigentes . Su tiempo de resistencia a cortocircuitos de 5 μs proporciona protección adicional contra fallas eléctricas.
Transistor confiable y eficiente de 600 V 75 A en paquete TO-247
El coeficiente de temperatura positivo del transistor en VCE(sat) garantiza un rendimiento estable y consistente en una amplia gama de temperaturas de funcionamiento. Con una distribución de parámetros muy ajustada, garantiza un funcionamiento preciso y fiable en diversas aplicaciones. La alta durabilidad y el rendimiento con temperatura estable lo convierten en una opción confiable para entornos exigentes.
El transistor IKW75N60T ofrece una velocidad de conmutación muy alta , lo que permite operaciones de conmutación rápidas y eficientes. Sus características de baja EMI (interferencia electromagnética) garantizan una interferencia mínima con otros componentes electrónicos. La inclusión de diodos HE controlados por emisores antiparalelos de recuperación rápida y muy suaves mejora aún más su rendimiento y confiabilidad.
Características técnicas:
Característica
Detalles
Tipo de transistor
IKW75N60T (K75T60)
Paquete
A-247
Voltaje
600V
Valoración actual
75A
VCE(sábado)
Muy bajo: 1,5 V (típico)
Temperatura máxima de unión
175ºC
Tiempo de resistencia al cortocircuito
5 μs
Distribución de parámetros
Muy ajustado
Velocidad de conmutación
Muy alto
EMI
Bajo
Diodos
Diodos HE controlados por emisores antiparalelos de recuperación rápida y muy suaves
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