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60S360P7 IPA60R360P7S MOSFET de potencia de alto voltaje revolucionario

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Experimente una eficiencia y una robustez incomparables con el IPA60R360P7S

Presentamos el IPA60R360P7S, la plataforma de séptima generación de tecnología MOSFET de potencia de alto voltaje que revoluciona las aplicaciones de conmutación. Con su rendimiento excepcional y facilidad de uso, este MOSFET está marcado como 60S360P7 y ofrece una variedad de ventajas para diversas aplicaciones de potencia.

MOSFET de potencia de alto voltaje de última generación para aplicaciones de conmutación eficientes

Una de las características más destacadas del IPA60R360P7S es su notablemente baja pérdida de conmutación y conducción, lo que se traduce en una mayor eficiencia, compacidad y un funcionamiento más frío en aplicaciones de conmutación. Es adecuado tanto para conmutación dura como blanda, incluidas las topologías PFC (corrección del factor de potencia) y LLC (Full-Bridge LLC).

Características técnicas:

Característica Descripción
VDS a Tj,máx. 650 V
RDS(activado),máx. 360 mΩ
Qg,típico 13nC
Identificación, pulso 26A
Eoss a 400 V 1,6 µJ
Diodo de cuerpo diF/dt 900 A/µs


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