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60S360P7 IPA60R360P7S MOSFET de potencia de alto voltaje revolucionario

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Experimente una eficiencia y robustez incomparables con el IPA60R360P7S


Presentamos el IPA60R360P7S, la plataforma de séptima generación de tecnología MOSFET de potencia de alto voltaje que revoluciona las aplicaciones de conmutación. Con su rendimiento excepcional y facilidad de uso, este MOSFET está marcado como 60S360P7 y ofrece una variedad de ventajas para diversas aplicaciones de energía.

Este MOSFET combina las mejores características de los MOSFET SJ de conmutación rápida, presentando una tendencia al timbre increíblemente baja y una robustez excepcional del diodo del cuerpo para una conmutación dura. También cuenta con una excelente capacidad ESD, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en entornos exigentes.

MOSFET de potencia de alto voltaje de próxima generación para aplicaciones de conmutación eficientes

Una de las características destacadas del IPA60R360P7S son sus pérdidas de conducción y conmutación notablemente bajas, lo que resulta en una mayor eficiencia, compacidad y funcionamiento más frío en aplicaciones de conmutación. Es adecuado para conmutación dura y suave, incluidas las topologías PFC (corrección del factor de potencia) y LLC (Full-Bridge LLC).

El IPA60R360P7S simplifica la gestión térmica gracias a sus bajas pérdidas de conmutación y conducción, lo que permite a los diseñadores optimizar las soluciones de refrigeración de forma eficaz. Con su alta densidad de potencia y su menor tamaño, este MOSFET permite una mayor calidad de construcción y al mismo tiempo proporciona protección ESD de >2 kV.

Ya sea PFC, PWM (modulación de ancho de pulso) u otras aplicaciones de energía, el IPA60R360P7S es adecuado para una amplia gama de rangos de potencia y ofrece eficiencia, robustez y facilidad de uso incomparables.

Características técnicas:

Característica Descripción
VDS @ Tj,máx. 650V
RDS (encendido), máx. 360mΩ
Qg, tipo 13nC
identificación, pulso 26A
Eoss @ 400V 1,6 µJ
Diodo del cuerpo diF/dt 900A/μs


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