Paquete IPW60R070C6 60R070C6 600V 53A SJ MOSFET TO247 de canal N
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About the Product
MOSFET SJ de canal N de alta eficiencia IPW60R070C6 de 600 V y 53 A
Presentamos el MOSFET SJ de canal N de 600 V y 53 A IPW60R070C6, un producto que combina la experiencia y la innovación de un proveedor líder en el campo. Este MOSFET ofrece un rendimiento excelente y, al mismo tiempo, es fácil de usar. Su diseño avanzado garantiza pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas, lo que da como resultado aplicaciones de conmutación más eficientes, compactas, livianas y con menor temperatura.
Pérdidas muy bajas | Alta durabilidad de conmutación | Fácil de usar | Sin plomo ni halógenos
Con su factor de mérito (FOM) Rdson*Qg y Eoss muy bajos, este MOSFET minimiza las pérdidas y maximiza la eficiencia. También proporciona una gran durabilidad de conmutación, lo que garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones exigentes. El IPW60R070C6 está diseñado para facilitar su uso y manejo, lo que lo hace accesible para varios diseños de circuitos.
IPW60R070C6 Características técnicas:
Característica técnica | Especificación |
---|---|
Disipación máxima de potencia (Pd) | 391 W |
Voltaje máximo de drenaje-fuente | 600 voltios |
Voltaje máximo de compuerta-fuente | 20 voltios |
Tensión máxima de umbral de compuerta | 3,5 V |
Corriente máxima de drenaje (Id) | 53 A |
Temperatura máxima de unión | 150 °C |
Carga total de la puerta (Qg) | 170 nC |
Tiempo de subida (tr) | 12nS |
Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) | 215 pF |
Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds) | 0,07 ohmios |
Paquete | TO247 |


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