MOSFET SJ de canal N de alta eficiencia IPW60R070C6 600V 53A

Presentamos el MOSFET SJ de canal N IPW60R070C6 600V 53A, un producto que combina la experiencia y la innovación de un proveedor líder en el campo. Este MOSFET ofrece un rendimiento excelente manteniendo la facilidad de uso. Su diseño avanzado garantiza pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas, lo que resulta en aplicaciones de conmutación más eficientes, compactas, livianas y frías.

Pérdidas muy bajas | Alta durabilidad de conmutación | Facilidad de uso | Sin plomo y sin halógenos

Con su figura de mérito (FOM) Rdson*Qg y Eoss muy baja, este MOSFET minimiza las pérdidas y maximiza la eficiencia. También proporciona una alta durabilidad de conmutación, lo que garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones exigentes. El IPW60R070C6 está diseñado para facilitar su uso y manejo, lo que lo hace accesible para varios diseños de circuitos.

Este MOSFET no sólo está orientado al rendimiento sino también a la protección del medio ambiente. Cuenta con un revestimiento sin plomo y sin halógenos, lo que contribuye a un enfoque más ecológico y sostenible de la electrónica.

Características técnicas: