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MOSFET de canal N JCS12N65FT: la opción óptima para una gestión eficiente del interruptor de alimentación
Presentamos el MOSFET de canal N JCS12N65FT , la solución perfecta para mejorar la eficiencia y el rendimiento de la gestión del interruptor de alimentación de su dispositivo. Fabricado con tecnología de zanja avanzada, este MOSFET está diseñado específicamente para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia , balastos de lámpara electrónicos basados en medio puente, fuentes de alimentación LED y más.
Tecnología avanzada de zanjas para aplicaciones de energía de alta eficiencia
El MOSFET de canal N JCS12N65FT está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional con su carga de puerta baja, Crss bajo (típico 23 pF) y velocidades de conmutación rápidas. Estas características son cruciales para minimizar las pérdidas de energía y optimizar la eficiencia de la transferencia de energía en diversas aplicaciones . El MOSFET ha sido probado contra avalanchas, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en condiciones exigentes.
MOSFET confiable y eficiente para diversas aplicaciones de conmutación de energía
Con un alto ID de 12 A a 25 ℃ y 7,6 A a 100 ℃, el JCS12N65FT puede manejar corrientes eléctricas sustanciales, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que consumen mucha energía. El BVdss de 650 V garantiza capacidades sólidas de manejo de voltaje, mientras que el bajo Rds (encendido) de 0,78 Ω minimiza las pérdidas de conducción, lo que resulta en una gestión de energía eficiente.
La carga de puerta del MOSFET (Qg-typ) de 39 nC permite una transferencia de corriente segura y confiable, lo que facilita transiciones de conmutación suaves. Su capacidad dv/dt mejorada garantiza un rendimiento confiable y protección contra picos de voltaje o transitorios.
Al cumplir con las regulaciones RoHS, el MOSFET de canal N JCS12N65FT es ecológico y no contiene sustancias peligrosas, lo que lo convierte en una opción responsable para sus necesidades de administración de energía.
Tabla de Características Técnicas:
Característica
Especificación
categoria de producto
Productos semiconductores discretos
Transistores
FET - Single
Tipo de transistor
Canal N
Corriente de fuente de drenaje (ID) a 25 ℃
12A
Corriente de fuente de drenaje (ID) a 100 ℃
7.6A
Tensión de ruptura (BVdss)
650V
Resistencia activada de la fuente de drenaje (Rds(activada))
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