Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N JCS12N65FT TO-220MF
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MOSFET de canal N JCS12N65FT: la opción óptima para una gestión eficiente de los interruptores de potencia
Presentamos el MOSFET de canal N JCS12N65FT , la solución perfecta para mejorar la eficiencia y el rendimiento de la gestión de conmutación de energía de su dispositivo. Fabricado con tecnología Trench avanzada, este MOSFET está diseñado específicamente para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia , balastos electrónicos para lámparas basados en medio puente, fuentes de alimentación LED y más.
Tecnología avanzada de zanjas para aplicaciones energéticas de alta eficiencia
El MOSFET de canal N JCS12N65FT está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional con su baja carga de compuerta, baja Crss (típicamente 23 pF) y rápidas velocidades de conmutación. Estas características son cruciales para minimizar las pérdidas de potencia y optimizar la eficiencia de transferencia de potencia en diversas aplicaciones . El MOSFET se ha probado en avalanchas, lo que garantiza un funcionamiento confiable incluso en condiciones exigentes.
Tabla de características del modelo JCS12N65FT:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Categoría de producto | Productos semiconductores discretos |
| Transistores | FET - Único |
| Tipo de transistor | Canal N |
| Corriente de drenaje-fuente (ID) a 25 ℃ | 12A |
| Corriente de drenaje-fuente (ID) a 100 ℃ | 7.6A |
| Tensión de ruptura (BVdss) | 650 V |
| Resistencia de encendido de la fuente de drenaje (Rds(on)) | 0,78 Ω |
| Carga de puerta (tipo Qg) | 39nC |
| Capacidad dv/dt mejorada | Sí |
| Cumplimiento | RoHS |
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