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Tablero de control de Whatsminer CB4-V10 del chip de memoria DDR3 de K4B2G1646F-BCNB

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Aumente el rendimiento de su dispositivo con el chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB


Actualice el rendimiento de su dispositivo y experimente velocidades ultrarrápidas con el chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB . Este chip de alta calidad, ubicado en la placa de control Whatsminer CB4-V10 , está diseñado para ofrecer rendimiento, estabilidad y compatibilidad excepcionales.

Libere velocidades ultrarrápidas y estabilidad garantizada para su controlador Whatsminer

El chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB ofrece una densidad de chip 2G y una organización de 128Mx16, lo que proporciona una amplia capacidad de memoria y un almacenamiento de datos eficiente. Con sus 8 bancos internos, cada uno con 16 millones de palabras y un ancho de bus de datos de 16 bits, este chip garantiza un acceso rápido y fluido a los datos, lo que se traduce en un mejor rendimiento del dispositivo.

Con una velocidad de reloj máxima de 2133 MHz y un tiempo de acceso máximo de 0,18 ns, el chip K4B2G1646F-BCNB permite una rápida transferencia y procesamiento de datos, lo que permite que su dispositivo maneje aplicaciones exigentes con facilidad.

El tipo de interfaz SSTL_1.5 del chip garantiza una comunicación fluida con otros componentes, mientras que su ancho de bus de direcciones de 17 bits mejora las operaciones de memoria. Además, el chip K4B2G1646F-BCNB opera dentro de un rango de voltaje de 1,425 - 1,575 V, logrando un equilibrio entre rendimiento y eficiencia energética.

Con su cumplimiento de RoHS y su rango de temperatura de funcionamiento de 0-95°C, este chip de memoria DDR3 garantiza estabilidad y confiabilidad incluso en entornos desafiantes .

Actualice su dispositivo hoy con el chip de memoria DDR3 K4B2G1646F-BCNB y libere todo su potencial . Disfrute de un rendimiento mejorado, velocidades ultrarrápidas y estabilidad garantizada para una experiencia de usuario perfecta.

Tabla de Características Técnicas:

Característica Especificación
Tipo de chip de memoria SDRAM DDR3
Densidad de viruta 2G
Organización 128Mx16
Bancos Internos 8
Palabras por banco 16M
Bits por palabra dieciséis
Ancho del bus de datos 16 bits
Velocidad máxima de reloj 2133MHz
Tiempo máximo de acceso 0,18 ns
Ancho del bus de direcciones 17 bits
Tipo de interfaz SSTL_1.5
Rango de voltaje de funcionamiento 1,425 - 1,575V
Rango de temperatura de funcionamiento 0-95°C
Conformidad con la RoHS
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