Diodo de barrera Schottky LBAT54HT1G JV de alto rendimiento para circuitos eficientes
Actualice sus circuitos electrónicos con el diodo de barrera Schottky LBAT54HT1G JV. Diseñado para un rendimiento y una eficiencia óptimos, este diodo presenta un voltaje directo extremadamente bajo de 0,4 V, lo que reduce significativamente la pérdida de conducción. Su encapsulado SOD-323 en miniatura lo hace ideal para aplicaciones con limitaciones de espacio, como dispositivos portátiles y de mano.
Paquete SOD-323 en miniatura | Voltaje directo extremadamente bajo | Calidad original y auténtica
El diodo LBAT54HT1G JV garantiza autenticidad y una calidad excepcional, lo que le proporciona un rendimiento confiable. Con una corriente de fuga inversa (Ir) de solo 2 uA y una tensión inversa (Vr) nominal de 30 V, este diodo garantiza un funcionamiento confiable y eficiente en varios diseños de circuitos.
Características técnicas del LBAT54HT1G:
Característica técnica
Especificación
Corriente de fuga inversa
2uA
Voltaje inverso
30 V
Voltaje directo (Vf@If)
0,4 V
Corriente rectificada media
0,2 V
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