MOSFET de potencia de canal N LSB65R041GF: libere la densidad de potencia y la eficiencia

Presentamos el MOSFET de potencia de canal N LSB65R041GF: ¡Llevamos la potencia al siguiente nivel!

Si busca un MOSFET de potencia que lleve la densidad de potencia y la eficiencia al siguiente nivel, necesita el LSB65R041GF. Este MOSFET de tecnología avanzada de superunión cuenta con una resistencia increíblemente baja, de tan solo 0,041 Ω. Esto lo convierte en la opción perfecta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia y una eficiencia excepcionales .

Características principales del MOSFET de potencia de canal N de 650 V, 78 A y 0,041 Ω LSB65R041GF

Con el MOSFET de potencia de canal N LSB65R041GF , podrá obtener un mayor rendimiento de sus aplicaciones y lograr excelentes resultados con facilidad. Si desea llevar sus capacidades de manejo de potencia al siguiente nivel, ¡no hay mejor opción que el LSB65R041GF!

Parámetros del LSB65R041GF:

• Designador de tipo: LSB65R041GF
• Tipo de transistor: MOSFET
• Tipo de canal de control: Canal N
• Disipación máxima de potencia (Pd): 500 W
• Voltaje máximo de drenaje-fuente |Vds|: 650 V
• Voltaje máximo de compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
• Tensión máxima de umbral de compuerta |Vgs(th)|: 4 V
• Corriente máxima de drenaje |Id|: 78 A
• Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
• Carga total de la compuerta (Qg): 110 nC
• Tiempo de subida (tr): 52 nS
• Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 4800 pF
• Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds): 0,041 ohmios
• Paquete: TO-247