Actualice sus sistemas de energía con el diodo Schottky MSP10065V1 de 650 V

Mejore el rendimiento de sus sistemas de energía con el diodo Schottky de SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V. Este diodo utiliza tecnología de carburo de silicio (SiC) de última generación, lo que proporciona una mayor eficiencia y un tiempo de recuperación más corto en comparación con las alternativas tradicionales de diodos de silicio. Con su paquete TO-220, ofrece facilidad de instalación y gestión térmica.

Diodo Schottky de SiC MSP10065V1 de alta eficiencia y conmutación rápida para aplicaciones de energía

El diodo MSP10065V1 tiene una clasificación de 650 V, lo que le permite manejar aplicaciones de alto voltaje como PFC (corrección del factor de potencia), inversores de potencia y convertidores. Su tiempo de recuperación más corto y sus capacidades de conmutación de alta velocidad permiten una operación eficiente y de alta frecuencia. El diodo muestra un comportamiento de conmutación independiente de la temperatura y una característica de conmutación extremadamente rápida.

Con un coeficiente de temperatura positivo en VF (voltaje directo), el MSP10065V1 ofrece un margen de seguridad mejorado contra la sobretensión y ofrece una mayor eficiencia en todas las condiciones de carga. Al reducir los requisitos del disipador de calor y permitir configuraciones de dispositivos paralelos sin desbordamiento térmico, se optimiza el diseño y el rendimiento del sistema. Además, el diodo minimiza las pérdidas por conmutación, lo que mejora aún más la eficiencia general.

Características técnicas:

• Rectificador Schottky de 650V
• Tiempo de recuperación más corto
• Posibilidad de conmutación de alta velocidad
• Operación de alta frecuencia
• Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
• Cambio extremadamente rápido
• Coeficiente de temperatura positivo en VF

Beneficios:

• Mayor margen de seguridad contra sobretensiones
• Eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga.
• Mayor eficiencia en comparación con las alternativas de diodos de silicio
• Reducción de los requisitos del disipador de calor.
• Dispositivos paralelos sin fuga térmica.
• Básicamente sin pérdidas por conmutación