MSP10065V1 10A 650V 1.5V Paquete de diodo Schottky SiC TO-220

Actualice sus sistemas de energía con el diodo Schottky de 650 V MSP10065V1

Mejore el rendimiento de sus sistemas de energía con el diodo Schottky de SiC MSP10065V1 de 10 A, 650 V y 1,5 V. Este diodo utiliza tecnología de carburo de silicio (SiC) de última generación, lo que proporciona una mayor eficiencia y un tiempo de recuperación más corto en comparación con las alternativas de diodos de silicio tradicionales. Con su encapsulado TO-220, ofrece facilidad de instalación y gestión térmica.

Diodo Schottky de SiC MSP10065V1 de alta eficiencia y conmutación rápida para aplicaciones de energía

El diodo MSP10065V1 tiene una clasificación de 650 V, lo que le permite manejar aplicaciones de alto voltaje como PFC (corrección del factor de potencia), inversores de potencia y convertidores. Su menor tiempo de recuperación y sus capacidades de conmutación de alta velocidad permiten un funcionamiento eficiente y de alta frecuencia. El diodo exhibe un comportamiento de conmutación independiente de la temperatura y características de conmutación extremadamente rápidas.

MSP10065V1 Características técnicas:

• Rectificador Schottky de 650 V
• Tiempo de recuperación más corto
• Posibilidad de conmutación a alta velocidad
• Operación de alta frecuencia
• Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
• Cambio extremadamente rápido
• Coeficiente de temperatura positivo en VF

Beneficios del MSP10065V1:

• Mayor margen de seguridad contra sobretensiones
• Eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga.
• Mayor eficiencia en comparación con las alternativas de diodos de silicio.
• Reducción de los requisitos de disipador de calor
• Dispositivos en paralelo sin fuga térmica
• Esencialmente no hay pérdidas de conmutación