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  • NSI8121N1 SOIC-8 High-Reliability Dual-Channel Digital Isolator
  • High-Performance Dual-Channel Digital Isolator - NSI8121N1 SOIC-8
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Aislador digital de doble canal de alta confiabilidad NSI8121N1 SOIC-8

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Aislador digital de canal doble de alto rendimiento: NSI8121N1 SOIC-8

Actualice sus sistemas de automatización industrial y garantice un aislamiento de señal confiable con el aislador digital de dos canales de alta confiabilidad SOIC-8 NSI8121N1 . Este dispositivo versátil ofrece múltiples opciones de voltaje de aislamiento soportado (3,75 kVrms, 5 kVrms), alta inmunidad electromagnética y bajas emisiones, todo mientras consume poca energía .

Múltiples opciones de voltaje de aislamiento con CMTI alto y bajo consumo de energía

Con una velocidad de datos de hasta 150 Mbps, el NSI8121N1 permite una transmisión de señales rápida y precisa a través de canales aislados. Su alta inmunidad transitoria en modo común (CMTI) de hasta 150 kV/us garantiza un rendimiento sólido en entornos industriales exigentes .

El NSI8121N1 cuenta con una protección ESD a nivel de chip de HBM: ±6 kV, que protege al dispositivo contra descargas electrostáticas. Ofrece opciones de configuración para niveles de salida predeterminados, lo que proporciona flexibilidad en varios escenarios de aplicación. El dispositivo también tiene una barrera de aislamiento de larga duración de más de 60 años, lo que garantiza una confiabilidad operativa prolongada.

Características técnicas del NSI8121N1 SOIC-8:

Característica Detalles
Voltaje de aislamiento Hasta 5000 VRMS
Velocidad de datos DC a 150Mbps
Voltaje de la fuente de alimentación 2,5 V a 5,5 V
Disponibilidad de grado 1 de AEC-Q100 Sí (paquete SOIC-8)
CMTI 150 kV/us
ESD a nivel de chip Resistencia a la compresión: ±6 kV
Opciones de nivel de salida predeterminadas De alto nivel o de bajo nivel
Barrera de aislamiento de por vida >60 años
Consumo de energía 1,5 mA/canal (1 Mbps)
Retardo de propagación <10 ns
Temperatura de funcionamiento -40℃ a 125℃

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