Chip MOS NTMFS5C604NLT1G 5C604L para reparación de placa Hash Antminer S19 Hydro HHB28601
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Solución de reparación eficiente: chip MOS NTMFS5C604NLT1G 5C604L para Antminer S19 Hydro HHB28601
Reviva su placa hash Antminer S19 Hydro HHB28601 con el chip MOS NTMFS5C604NLT1G 5C604L de alto rendimiento. Diseñado específicamente para fines de reparación, este chip MOS ofrece una funcionalidad y compatibilidad excepcionales. Está marcado en serigrafía como SC604L y viene en un paquete compacto DFN-5 .
Chip MOS NTMFS5C604NLT1G 5C604L para placa Hydro Hash Antminer S19
Este chip MOSFET, que cuenta con un voltaje de ruptura de drenaje-fuente de 60 V y una baja resistencia de drenaje-fuente (Rds On) de 1,2 mOhms, minimiza las pérdidas de conducción, lo que garantiza un flujo de energía eficiente. Con su tamaño reducido y diseño compacto, ofrece una solución que ahorra espacio para las reparaciones de su equipo de minería.
El chip MOS NTMFS5C604NLT1G también cuenta con una carga de compuerta (Qg) y una capacitancia bajas, lo que reduce las pérdidas del controlador y optimiza el rendimiento general. Cumple con los estándares de cumplimiento de RoHS y sin plomo, lo que lo convierte en una opción ecológica.
Características del MOSFET NTMFS5C604NLT1G:
| Características técnicas | |
|---|---|
| Paquete / Caja | DFN-5 |
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Número de canales | 1 canal |
| Vds - Tensión de ruptura de drenaje-fuente | 60 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua | 287 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente | 1,2 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de compuerta-fuente | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Voltaje umbral de compuerta-fuente | 1,2 voltios |
| Qg - Carga de puerta | 120nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento | -55℃ |
| Temperatura máxima de funcionamiento | +175℃ |
| Pd - Disipación de potencia | 200 vatios |
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