MOSFET de potencia de canal N con modo de mejora OSG65R069H para fuente de alimentación Whatsminer P21
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MOSFET de potencia de canal N con modo de mejora OSG65R069H
Repare su fuente de alimentación Whatsminer P21 con el MOSFET de potencia de canal N con modo de mejora OSG65R069H. Diseñado específicamente con tecnología de equilibrio de carga, este MOSFET ofrece baja resistencia de encendido, carga de compuerta reducida y pérdidas de conducción mínimas para una mayor eficiencia energética.
Solución de alta potencia para la fuente de alimentación Whatsminer P21: MOSFET OSG65R069H
Con una clasificación de alto voltaje de 700 V y una capacidad de corriente de pulso de 159 A, el OSG65R069H está optimizado para un rendimiento de conmutación extremo, minimizando las pérdidas de conmutación y garantizando un funcionamiento confiable de la fuente de alimentación.
El MOSFET OSG65R069H no solo es adecuado para reparaciones de fuentes de alimentación de Whatsminer P21, sino que también se utiliza en diversas industrias. Se utiliza comúnmente en iluminación LED, energía para telecomunicaciones, energía para servidores, cargadores de vehículos eléctricos, sistemas solares y dispositivos UPS, y proporciona una gestión de energía eficiente y un alto rendimiento.
Características técnicas del MOSFET OSG65R069H:
| Característica | Detalles |
|---|---|
| VDS, mín. a Tj(máx.) | 700 V |
| Identificación, pulso | 159A |
| RDS(ACTIVADO), máx. a VGS=10 V | 69 mΩ |
| Qg | 60,5 nC |
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