OSG65R069H Modo de mejora MOSFET de potencia de canal N

Actualice su fuente de alimentación Whatsminer P21 con el MOSFET de potencia de canal N del modo de mejora OSG65R069H. Diseñado específicamente con tecnología de equilibrio de carga, este MOSFET ofrece baja resistencia, carga de puerta reducida y pérdidas de conducción mínimas para una mayor eficiencia energética.

Solución de alta potencia para la fuente de alimentación Whatsminer P21: MOSFET OSG65R069H

Con una clasificación de alto voltaje de 700 V y una capacidad de corriente de pulso de 159 A, el OSG65R069H está optimizado para un rendimiento de conmutación extremo, minimizando las pérdidas de conmutación y garantizando un funcionamiento confiable del suministro de energía. Con una resistencia máxima de 69 mΩ y una carga de puerta de 60,5 nC, este MOSFET ofrece excelente estabilidad , uniformidad y una fuerte capacidad de avalancha.

El MOSFET OSG65R069H no solo es adecuado para reparaciones de fuentes de alimentación Whatsminer P21, sino que también encuentra aplicaciones en diversas industrias. Se utiliza comúnmente en iluminación LED, energía de telecomunicaciones, energía de servidores, cargadores de vehículos eléctricos, sistemas solares y dispositivos UPS, proporcionando una gestión eficiente de la energía y un alto rendimiento.

Garantice una densidad de potencia óptima y cumpla con los más altos estándares de eficiencia con el MOSFET de potencia de canal N en modo de mejora OSG65R069H , la solución ideal para aplicaciones de suministro de energía exigentes.

Características técnicas: