PIP PTW40N50 - MOSFET de canal N de 500 V de alto rendimiento

Logre un rendimiento incomparable con el PIP PTW40N50, un MOSFET de canal N de 500 V de alto rendimiento diseñado para satisfacer las demandas de una amplia gama de aplicaciones. Este MOSFET garantiza una confiabilidad excepcional y un funcionamiento eficiente, potenciando sus proyectos con una administración de energía óptima .

Libere un alto rendimiento con PIP PTW40N50: un MOSFET de canal N de 500 V

Con una corriente de drenaje continua de 46 A y una disipación de potencia de 540 W, el PIP PTW40N50 ofrece un rendimiento confiable y robusto. Su baja resistencia de conexión de la fuente de drenaje de 100 mΩ a 10 V y 23 A garantiza un flujo de energía eficiente, mientras que el voltaje umbral de la puerta de 4 V a 250 uA permite un control preciso.

Gestión de energía confiable para diversas aplicaciones

Ya sea que esté trabajando en fuentes de alimentación, controles de motores, sistemas de iluminación u otras aplicaciones de alta potencia, el MOSFET PIP PTW40N50 es la elección perfecta. Su diseño de canal N y su paquete TO-3P-3 brindan facilidad de integración y disipación de calor efectiva.

Experimente la potencia del MOSFET PIP PTW40N50 y eleve el rendimiento de sus diseños electrónicos a nuevas alturas. Confíe en su confiabilidad y capacidades superiores de administración de energía para obtener resultados excepcionales.

Características técnicas: