PIP PTW40N50 MOSFET TO-3P-3 de canal N de alto rendimiento 500 V 46 A 540 W

PIP PTW40N50 - MOSFET de canal N de 500 V y alto rendimiento

Consiga un rendimiento incomparable con el PIP PTW40N50, un MOSFET de canal N de 500 V de alto rendimiento diseñado para satisfacer las demandas de una amplia gama de aplicaciones. Este MOSFET garantiza una fiabilidad excepcional y un funcionamiento eficiente, lo que permite a sus proyectos una gestión de energía óptima .

Obtenga un alto rendimiento con PIP PTW40N50: un MOSFET de canal N de 500 V

Con una corriente de drenaje continua de 46 A y una disipación de potencia de 540 W, el PIP PTW40N50 ofrece un rendimiento fiable y robusto. Su baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje de 100 mΩ a 10 V y 23 A garantiza un flujo de potencia eficiente, mientras que el voltaje de umbral de compuerta de 4 V a 250 uA permite un control preciso.

Gestión de energía confiable para diversas aplicaciones

Ya sea que trabaje con fuentes de alimentación, controles de motores, sistemas de iluminación u otras aplicaciones de alta potencia, el MOSFET PIP PTW40N50 es la opción perfecta. Su diseño de canal N y su encapsulado TO-3P-3 facilitan la integración y disipan eficazmente el calor.

Experimente la potencia del MOSFET PIP PTW40N50 y eleve el rendimiento de sus diseños electrónicos a nuevas cotas. Confíe en su fiabilidad y en sus capacidades superiores de gestión de la energía para obtener resultados excepcionales.

Características técnicas del modelo PTW40N50: