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Qorvo UJ3C120150K3S MOSFET de canal N 1200V 18.4A 166.7W TO-247-3 para fuente de alimentación Bitmain APW11

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Qorvo UJ3C120150K3S MOSFET de canal N


Mejore sus aplicaciones de electrónica de potencia con el MOSFET de canal N Qorvo UJ3C120150K3S . Este componente semiconductor discreto está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia . Con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) de 1200 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 18,4 A (Tc) a 25 °C, este MOSFET ofrece un rendimiento confiable y eficiente.

MOSFET de canal N Qorvo UJ3C120150K3S de alto voltaje y alta potencia para aplicaciones de energía APW11

El UJ3C120150K3S cuenta con tecnología SiCFET (Cascode SiCJFET), que ofrece capacidades mejoradas de manejo de potencia. Su baja resistencia de encendido (Rds On) de 180 mOhm a 5 A, 12 V garantiza una pérdida de energía mínima. El MOSFET tiene un voltaje máximo de puerta-fuente (Vgs) de ±25 V y un voltaje umbral de puerta (Vgs(th)) de 5,5 V a 10 mA.

Con una disipación de potencia máxima de 166,7 W (Tc) y un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 175 °C (TJ), el UJ3C120150K3S es adecuado para entornos exigentes. Está disponible en un paquete TO-247-3, lo que permite un fácil montaje a través del orificio.

Características técnicas:

Característica Descripción
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (código casco SiCJFET)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 18,4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 12V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 180 mOhmios a 5 A, 12 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5,5 V a 10 mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC a 15 V
Vgs (máx.) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 738 pF a 100 V
Disipación de energía (máx.) 166,7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje A través del orificio
Paquete / Estuche A-247-3
Número de producto básico UJ3C120150


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