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SIRA00DP-T1-GE3 30V 100A (DS) MOSFET de rectificación síncrona de canal N

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MOSFET SIRA00DP-T1-GE3: mejore sus aplicaciones CC/CC y ORing

MOSFET de rectificación síncrona de canal N de alto rendimiento con corriente de drenaje continuo de 100 A

¿Busca un MOSFET confiable? No busque más, el potente MOSFET de rectificación síncrona de canal N SIRA00DP-T1-GE3. Diseñado para aplicaciones CC/CC y ORing, este MOSFET cuenta con un Vds de 30 V y una corriente de drenaje continua de 100 A, lo que lo hace perfecto para necesidades CC/CC, VRM y CC/CC integradas de alta densidad de potencia. Su resistencia entre el drenaje y la fuente es de solo 830 uOhms, lo que significa que experimentarás velocidades de carga ultrarrápidas.

Con un rango de temperatura de trabajo de -55 ℃ a +150 ℃, este MOSFET está diseñado para durar. ¿Listo para llevar tu proyecto al siguiente nivel? Agregue el MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 a su kit de herramientas hoy.

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores

FET, MOSFET

FET individuales, MOSFET

fabricante

Vishay Siliconix

Serie

ZanjaFET®

Tipo FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (óxido metálico)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30 voltios

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C

100A (Tc)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4,5 V, 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1 mOhmio a 20 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2,2 V a 250 µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

220 nC a 10 V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11700 pF a 15 V

Disipación de energía (máx.)

6,25 W (Ta), 104 W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Número de producto básico

SIRA00

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