SIRA00DP-T1-GE3 30V 100A (DS) MOSFET de rectificación síncrona de canal N
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SIRA00DP-T1-GE3 MOSFET de canal N – Solución de potencia de alta eficiencia de 30 V 100 A
El SIRA00DP-T1-GE3 es un MOSFET de canal N de alto rendimiento diseñado para rectificación síncrona, convertidores CC/CC y aplicaciones ORing. Ofrece una eficiencia y densidad de potencia excepcionales en sistemas electrónicos exigentes.
Con un voltaje de drenaje a fuente de 30 V y una corriente de drenaje continua de hasta 100 A, este MOSFET es ideal para aplicaciones de alta corriente como VRM, fuentes de alimentación y módulos CC/CC integrados.
Su Rds(on) ultrabajo reduce significativamente las pérdidas por conducción, mejorando el rendimiento térmico y la eficiencia general del sistema.
Características clave
- MOSFET de canal N con tecnología avanzada TrenchFET®
- Tensión de drenaje a fuente (Vds): 30V
- Corriente de drenaje continua: hasta 100A
- Rds(on) ultrabajo: 1mΩ a 10V
- Optimizado para rectificación síncrona y conversión CC/CC
- Alta eficiencia y pérdidas de potencia reducidas
- Baja carga de puerta para un rendimiento de conmutación mejorado
- Paquete compacto PowerPAK® SO-8 de montaje en superficie
Especificaciones técnicas
| Número de pieza | SIRA00DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Tecnología | MOSFET TrenchFET® |
| Tipo de canal | Canal N |
| Voltaje de drenaje-fuente (Vds) | 30V |
| Corriente de drenaje continua (Id) | 100A |
| Rds(on) | 1mΩ a 20A, 10V |
| Carga de puerta (Qg) | 220 nC a 10V |
| Voltaje de puerta (Máx.) | +20V / -16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 11700 pF a 15V |
| Disipación de potencia | 104W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a +150°C |
| Paquete | PowerPAK® SO-8 |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie |
| Condición | Nuevo |
Aplicaciones
Ideal para convertidores CC/CC, módulos reguladores de voltaje (VRM), fuentes de alimentación, circuitos ORing y sistemas de gestión de energía de alta eficiencia en hardware industrial y de minería.
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