Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de potencia de súper unión SRC60R090B

El SRC60R090B es un MOSFET de potencia de alto voltaje construido con tecnología avanzada de súper unión, que ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de energía. Con una resistencia de encendido ultrabaja de 90 mΩ a VGS = 10 V y una carga de puerta ultrabaja de 90,3 nC (típica), este MOSFET ofrece una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.

MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de energía robustas y fuente de alimentación Innosilicon G1240

Con un diodo de cuerpo intrínseco de rápida recuperación y capacidad de conmutación rápida, el SRC60R090B está diseñado para manejar aplicaciones de alto voltaje con facilidad. Su diseño robusto garantiza un mejor rendimiento de EAS (Energía de avalancha de pulso único), lo que lo convierte en una opción confiable para sistemas de energía exigentes.

Con un voltaje de ruptura de 600 V y características de avalancha altamente resistentes, el SRC60R090B proporciona excelente durabilidad y confiabilidad.

Características técnicas: