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  • SRC60R090B Super Junction Power MOSFET for Crypto Miner PSU
  • High-Performance N-Channel MOSFET for Innosilicon G1240 PSU
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SRC60R090B Super Junction Power MOSFET: alto voltaje y eficiencia superior para reparación de fuentes de alimentación de Crypto Miner

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Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de potencia de superunión SRC60R090B

El SRC60R090B es un MOSFET de potencia de alto voltaje construido con tecnología avanzada de superunión, que ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de potencia. Con una resistencia de encendido ultrabaja de 90 mΩ a VGS = 10 V y una carga de compuerta ultrabaja de 90,3 nC (típica), este MOSFET ofrece una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente.

MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de potencia robustas y fuente de alimentación Innosilicon G1240

El SRC60R090B, que cuenta con un diodo de cuerpo intrínseco de recuperación rápida y capacidad de conmutación rápida, está diseñado para manejar aplicaciones de alto voltaje con facilidad. Su diseño robusto garantiza un mejor rendimiento EAS (Energía de avalancha de pulso único), lo que lo convierte en una opción confiable para sistemas de energía exigentes.

Características técnicas del MOSFET SRC60R090B:

Característica Detalles
En-Resistencia 90 mΩ a VGS = 10 V
Cargo por entrada 90,3 nC (típico)
Diodo corporal Recuperación rápida intrínseca
Capacidad de conmutación Rápido
Rendimiento del EAS Diseño robusto
Tensión de ruptura 600 V
Opciones de paquete TO-220F, TO-263-2, TO-247

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