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  • SRC60R230B is a high voltage power N-Channel MOSFET that incorporates advanced super junction technology.
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MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B Densidad de potencia y eficiencia superiores

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Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de alto voltaje SRC60R230B

El SRC60R230B es un MOSFET de canal N de alta tensión que incorpora tecnología avanzada de superunión, lo que permite una densidad de potencia y una eficiencia superiores. Gracias a su baja resistencia de encendido, baja carga de compuerta y rápidos tiempos de conmutación, este MOSFET es la opción ideal para aplicaciones que requieren un control de potencia de alto rendimiento .

Tecnología Super Junction para un control de potencia y un rendimiento avanzados

Una de las características clave del SRC60R230B es su diodo de cuerpo de recuperación rápida , que mejora el rendimiento y la eficiencia en aplicaciones que requieren conmutación rápida. Este MOSFET es capaz de conmutar rápidamente, lo que permite un suministro de potencia y tiempos de respuesta eficientes.

Características técnicas del MOSFET SRC60R230B:

Característica técnica Descripción
Tipo de transistor MOSFET de canal N
Consumo máximo de energía (Pd) 86,8 W
Temperatura máxima de unión (Tj) 150 °C
Carga total de la puerta (Qg) 25,6 nC
Tiempo de subida (tr) 20 nS
Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) 86,4 pF
Resistencia máxima de encendido de la fuente de drenaje (Rds)
(Rds) 0,23 ohmios

Nota para clientes internacionales:

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