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MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B Densidad de potencia y eficiencia superiores

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Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de alto voltaje SRC60R230B

El SRC60R230B es un MOSFET de canal N de potencia de alto voltaje que incorpora tecnología avanzada de superunión, lo que permite una densidad de potencia y una eficiencia superiores. Con su baja resistencia de encendido, baja carga de compuerta y tiempos de conmutación rápidos, este MOSFET es la opción ideal para aplicaciones que exigen un control de potencia de alto rendimiento .

Tecnología Super Junction para un control de potencia y un rendimiento avanzados

Una de las características clave del SRC60R230B es su diodo de recuperación rápida intrínseco, que mejora el rendimiento y la eficiencia en aplicaciones que requieren una conmutación rápida. Este MOSFET es capaz de realizar una conmutación rápida, lo que permite una entrega de energía y tiempos de respuesta eficientes.

El diseño robusto del SRC60R230B garantiza un mejor rendimiento EAS (Avalanche Energy Specified), lo que proporciona robustez y confiabilidad en entornos exigentes. Puede soportar condiciones de alto voltaje y temperatura, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones .

Características técnicas del MOSFET SRC60R230B:

Característica técnica Descripción
Tipo de transistor MOSFET de canal N
Consumo máximo de energía (Pd) 86,8 W
Temperatura máxima de unión (Tj) 150 °C
Carga total de la puerta (Qg) 25,6 nC
Tiempo de subida (tr) 20 nS
Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) 86,4 pF
Resistencia máxima de encendido de la fuente de drenaje (rutas)
(rutas) 0,23 ohmios

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