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MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B Densidad de potencia y eficiencia superiores

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Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de alto voltaje SRC60R230B

El SRC60R230B es un MOSFET de canal N de potencia de alto voltaje que incorpora tecnología avanzada de súper unión, lo que permite una densidad de potencia y eficiencia superiores. Con su baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y tiempos de conmutación rápidos, este MOSFET es la opción ideal para aplicaciones que exigen control de potencia de alto rendimiento .

Diseñado para brindar confiabilidad y eficiencia, el MOSFET SRC60R230B ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 230 mΩ a VGS = 10 V, lo que minimiza las pérdidas de energía y maximiza la eficiencia de conversión de energía. Su baja carga de puerta de 25,6 nC garantiza un control eficiente de la puerta, lo que permite una conmutación rápida y precisa.

Tecnología Super Junction para control de potencia y rendimiento avanzados

Una de las características clave del SRC60R230B es su diodo intrínseco de cuerpo de recuperación rápida , que mejora el rendimiento y la eficiencia en aplicaciones que requieren una conmutación rápida. Este MOSFET es capaz de realizar una conmutación rápida, lo que permite una entrega de energía y tiempos de respuesta eficientes.

El diseño robusto del SRC60R230B garantiza un mejor rendimiento EAS (Avalanche Energy Specified), proporcionando robustez y confiabilidad en entornos exigentes. Puede soportar condiciones de alto voltaje y temperatura, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones .

El SRC60R230B encuentra aplicaciones en diversas industrias, incluidas fuentes de alimentación de CA/CC, baterías de computadoras, equipos de servidores/telecomunicaciones e inversores solares. Su alto voltaje nominal de 600 V y su corriente de drenaje máxima de 13,7 A lo hacen adecuado para manejar los requisitos de energía en estas aplicaciones exigentes.

Actualice sus sistemas de control de energía con el MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B y experimente una densidad de potencia superior, eficiencia y rendimiento confiable. La avanzada tecnología de súper unión de este MOSFET garantiza una entrega de energía optimizada y un rendimiento mejorado del sistema.

Características técnicas:

Característica técnica Descripción
Tipo de transistor MOSFET de canal N
Consumo máximo de energía (Pd) 86,8W
Temperatura máxima de unión (Tj) 150ºC
Cargo total de puerta (Qg) 25,6 nC
Tiempo de subida (tr) 20 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd) 86,4 pF
Máxima resistencia a la fuente de drenaje (Rds)
(Rds) 0,23 ohmios

El MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, que incluyen:

  1. Fuentes de alimentación CA/CC: mejore la eficiencia y confiabilidad de la conversión de energía en varios sistemas de suministro de energía, garantizando una entrega de energía estable y eficiente.

  2. Baterías de computadoras: Optimice el control y la gestión de la energía en los sistemas de baterías de computadoras, maximizando el rendimiento y la vida útil de la batería.

  3. Servidor/Telecomunicaciones: Mejore la administración de energía y la eficiencia en servidores y equipos de telecomunicaciones, garantizando un funcionamiento confiable y estable.

  4. Inversores solares: permiten una conversión eficiente de energía en inversores solares, mejorando el rendimiento y la confiabilidad de los sistemas de energía solar.

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