Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de alto voltaje SRC60R230B
El SRC60R230B es un MOSFET de canal N de potencia de alto voltaje que incorpora tecnología avanzada de súper unión, lo que permite una densidad de potencia y eficiencia superiores. Con su baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y tiempos de conmutación rápidos, este MOSFET es la opción ideal para aplicaciones que exigen control de potencia de alto rendimiento .
Diseñado para brindar confiabilidad y eficiencia, el MOSFET SRC60R230B ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 230 mΩ a VGS = 10 V, lo que minimiza las pérdidas de energía y maximiza la eficiencia de conversión de energía. Su baja carga de puerta de 25,6 nC garantiza un control eficiente de la puerta, lo que permite una conmutación rápida y precisa.
Tecnología Super Junction para control de potencia y rendimiento avanzados
Una de las características clave del SRC60R230B es su diodo intrínseco de cuerpo de recuperación rápida , que mejora el rendimiento y la eficiencia en aplicaciones que requieren una conmutación rápida. Este MOSFET es capaz de realizar una conmutación rápida, lo que permite una entrega de energía y tiempos de respuesta eficientes.
El diseño robusto del SRC60R230B garantiza un mejor rendimiento EAS (Avalanche Energy Specified), proporcionando robustez y confiabilidad en entornos exigentes. Puede soportar condiciones de alto voltaje y temperatura, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones .
El SRC60R230B encuentra aplicaciones en diversas industrias, incluidas fuentes de alimentación de CA/CC, baterías de computadoras, equipos de servidores/telecomunicaciones e inversores solares. Su alto voltaje nominal de 600 V y su corriente de drenaje máxima de 13,7 A lo hacen adecuado para manejar los requisitos de energía en estas aplicaciones exigentes.
Actualice sus sistemas de control de energía con el MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B y experimente una densidad de potencia superior, eficiencia y rendimiento confiable. La avanzada tecnología de súper unión de este MOSFET garantiza una entrega de energía optimizada y un rendimiento mejorado del sistema.
Características técnicas:
Característica técnica |
Descripción |
Tipo de transistor |
MOSFET de canal N |
Consumo máximo de energía (Pd) |
86,8W |
Temperatura máxima de unión (Tj) |
150ºC |
Cargo total de puerta (Qg) |
25,6 nC |
Tiempo de subida (tr) |
20 nS |
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd) |
86,4 pF |
Máxima resistencia a la fuente de drenaje |
(Rds) |
(Rds) |
0,23 ohmios |
El MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, que incluyen:
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Fuentes de alimentación CA/CC: mejore la eficiencia y confiabilidad de la conversión de energía en varios sistemas de suministro de energía, garantizando una entrega de energía estable y eficiente.
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Baterías de computadoras: Optimice el control y la gestión de la energía en los sistemas de baterías de computadoras, maximizando el rendimiento y la vida útil de la batería.
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Servidor/Telecomunicaciones: Mejore la administración de energía y la eficiencia en servidores y equipos de telecomunicaciones, garantizando un funcionamiento confiable y estable.
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Inversores solares: permiten una conversión eficiente de energía en inversores solares, mejorando el rendimiento y la confiabilidad de los sistemas de energía solar.