MOSFET de potencia de alto voltaje SRC60R230B Densidad de potencia y eficiencia superiores
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Mejore la densidad de potencia y la eficiencia con el MOSFET de alto voltaje SRC60R230B
El SRC60R230B es un MOSFET de canal N de alta tensión que incorpora tecnología avanzada de superunión, lo que permite una densidad de potencia y una eficiencia superiores. Gracias a su baja resistencia de encendido, baja carga de compuerta y rápidos tiempos de conmutación, este MOSFET es la opción ideal para aplicaciones que requieren un control de potencia de alto rendimiento .
Tecnología Super Junction para un control de potencia y un rendimiento avanzados
Una de las características clave del SRC60R230B es su diodo de cuerpo de recuperación rápida , que mejora el rendimiento y la eficiencia en aplicaciones que requieren conmutación rápida. Este MOSFET es capaz de conmutar rápidamente, lo que permite un suministro de potencia y tiempos de respuesta eficientes.
Características técnicas del MOSFET SRC60R230B:
| Característica técnica | Descripción |
| Tipo de transistor | MOSFET de canal N |
| Consumo máximo de energía (Pd) | 86,8 W |
| Temperatura máxima de unión (Tj) | 150 °C |
| Carga total de la puerta (Qg) | 25,6 nC |
| Tiempo de subida (tr) | 20 nS |
| Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) | 86,4 pF |
| Resistencia máxima de encendido de la fuente de drenaje | (Rds) |
| (Rds) | 0,23 ohmios |
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