Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de potencia de bajo voltaje SRT045N012HS

El SRT045N012HS es un MOSFET de potencia de bajo voltaje y alto rendimiento que utiliza tecnología avanzada de zanja de compuerta dividida. Diseñado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia excepcional y rectificación síncrona, este MOSFET ofrece una variedad de características para mejorar el rendimiento y la eficiencia.

Conmutación rápida y baja resistencia de encendido para una excelente densidad de potencia

Con una resistencia de encendido ultrabaja de solo 1,07 mΩ @VGS = 10 V, el SRT045N012HS minimiza las pérdidas de energía y mejora la eficiencia energética general. Su baja carga de puerta de 73 nC (típica) permite tiempos de conmutación rápidos, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la capacidad de respuesta del sistema.

El diseño robusto del SRT045N012HS garantiza un funcionamiento confiable y un mejor rendimiento de EAS (Avalanche Energy). También presenta características EMI (interferencia electromagnética) mejoradas, lo que minimiza la interferencia y mejora la confiabilidad del sistema.

Este MOSFET de potencia viene en un paquete TO-263-2 , lo que proporciona una fácil instalación y compatibilidad con diversas aplicaciones. Tenga en cuenta que el SRT045N012HS no está calificado para automóviles.

Características técnicas: