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  • SRT045N012HS Low-Voltage Power MOSFET - Advanced Technology for High Power Density Applications
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SRT045N012HS MOSFET de potencia de bajo voltaje: tecnología avanzada para aplicaciones de alta densidad de potencia

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Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de potencia de bajo voltaje SRT045N012HS

El SRT045N012HS es un MOSFET de potencia de bajo voltaje y alto rendimiento que utiliza tecnología avanzada de trinchera de compuerta dividida. Diseñado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia excepcional y rectificación sincrónica, este MOSFET ofrece una variedad de características para mejorar el rendimiento y la eficiencia.

Conmutación rápida y baja resistencia de encendido para una excelente densidad de potencia

Con una resistencia de encendido ultrabaja de solo 1,07 mΩ a VGS = 10 V, el SRT045N012HS minimiza las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia energética general. Su baja carga de compuerta de 73 nC (típica) permite tiempos de conmutación rápidos, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la capacidad de respuesta del sistema.

Características del MOSFET SRT045N012HS:

Característica Detalles
Resistencia activa (RDS(ON)) Ultrabajo: 1,07 mΩ a VGS = 10 V
Carga de puerta (Qg) Ultra bajo: 73 nC (típico)
Capacidad de conmutación Tiempos de conmutación rápidos
Diseño Robusto con mejor rendimiento EAS
Mejora de EMI Características EMI mejoradas
Paquete TO-263-2
Calificado No calificado para el sector automotriz

Nota para clientes internacionales:

Este producto se envía desde China. Tenga en cuenta que su pedido puede estar sujeto a impuestos de importación, aranceles aduaneros y tasas del país de destino una vez recibido el envío. Estos cargos son responsabilidad del cliente y no están incluidos en el precio del producto ni en los gastos de envío. No podemos predecir el importe de estas tasas, ya que varían según el país.

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