SRT045N012HS MOSFET de potencia de bajo voltaje: tecnología avanzada para aplicaciones de alta densidad de potencia
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Mejore la eficiencia energética con el MOSFET de potencia de bajo voltaje SRT045N012HS
El SRT045N012HS es un MOSFET de potencia de bajo voltaje y alto rendimiento que utiliza tecnología avanzada de trinchera de compuerta dividida. Diseñado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia excepcional y rectificación sincrónica, este MOSFET ofrece una variedad de características para mejorar el rendimiento y la eficiencia.
Conmutación rápida y baja resistencia de encendido para una excelente densidad de potencia
Con una resistencia de encendido ultrabaja de solo 1,07 mΩ a VGS = 10 V, el SRT045N012HS minimiza las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia energética general. Su baja carga de compuerta de 73 nC (típica) permite tiempos de conmutación rápidos, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la capacidad de respuesta del sistema.
Características del MOSFET SRT045N012HS:
| Característica | Detalles |
|---|---|
| Resistencia activa (RDS(ON)) | Ultrabajo: 1,07 mΩ a VGS = 10 V |
| Carga de puerta (Qg) | Ultra bajo: 73 nC (típico) |
| Capacidad de conmutación | Tiempos de conmutación rápidos |
| Diseño | Robusto con mejor rendimiento EAS |
| Mejora de EMI | Características EMI mejoradas |
| Paquete | TO-263-2 |
| Calificado | No calificado para el sector automotriz |
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