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  • SSW47N60S, a high-performance 600V N-channel MOSFET
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Reparación de criptominería con MOSFET de canal N de 600 V y alto rendimiento SSW47N60S

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Conversión de energía eficiente con MOSFET de canal N SSW47N60S de 600 V

Presentamos el SSW47N60S, un MOSFET de canal N de 600 V de alto rendimiento que pertenece a una nueva generación de series avanzadas de MOSFET de alto voltaje. Este MOSFET utiliza un innovador mecanismo de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento excepcionalmente bajo de resistencia de encendido y carga de compuerta baja, lo que da como resultado pérdidas de conducción minimizadas y excelentes características de conmutación.

Baja resistencia de encendido y excelente rendimiento de conmutación: MOSFET SSW47N60S

El MOSFET SSW47N60S ofrece un consumo de potencia máximo (Pd) de 391 W, lo que proporciona capacidades de manejo de alta potencia. Tiene un voltaje máximo de drenaje-fuente (|Vds|) de 600 V, lo que garantiza robustez en aplicaciones de alto voltaje. El voltaje máximo de compuerta-fuente (|Vgs|) es de 30 V y el voltaje máximo de umbral de compuerta (|Vgs(th)|) es de 4,5 V, lo que permite un control y una operación precisos.


Características técnicas del MOSFET SSW47N60S:

Característica Especificación
Tipo de transistor MOSFET
Tipo de canal de control Canal N
Consumo máximo de energía (Pd) 391 W
Voltaje máximo de drenaje-fuente ( Vds
Voltaje máximo de compuerta-fuente ( Vgs
Voltaje de umbral de puerta máximo ( Vgs(th)
Corriente máxima de drenaje ( Identificación
Temperatura máxima de unión (Tj) 150°C
Carga total de la puerta (Qg) 64 nC
Tiempo de subida (tr) 12 ns
Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) 910 pF
Resistencia máxima de encendido de la fuente de drenaje (Rds) 0,07 ohmios
Paquete TO247


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