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MOSFET de potencia de 600 V de canal N de alta eficiencia STW48N60DM2

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MOSFET de canal N STW48N60DM2: libere energía de alta eficiencia


Libere energía de alta eficiencia en aplicaciones exigentes con el MOSFET de canal N STW48N60DM2 . Diseñado para un rendimiento óptimo, este MOSFET es la solución perfecta para aplicaciones donde la eficiencia es primordial.

Actualice su sistema de energía con el MOSFET de canal N STW48N60DM2

Equipado con un diodo de cuerpo de recuperación rápida , el MOSFET STW48N60DM2 garantiza una carga y un tiempo de recuperación muy bajos, lo que permite una entrega de energía eficiente y confiable . Su baja resistencia lo hace ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS, maximizando la eficiencia de conversión de energía.

Experimente eficiencia y rendimiento de vanguardia con el MOSFET de canal N STW48N60DM2

Con una carga de puerta y una capacitancia de entrada muy bajas, este MOSFET facilita una conmutación rápida, reduce las pérdidas de energía y mejora el rendimiento general del sistema. El MOSFET se somete al 100 % a pruebas de avalancha, lo que garantiza robustez y confiabilidad en condiciones operativas adversas . Su alta durabilidad dv/dt mejora aún más el rendimiento y la longevidad.

Con protección Zener adicional, el MOSFET STW48N60DM2 ofrece un nivel adicional de confiabilidad, protegiendo su sistema de energía contra picos y sobretensiones de voltaje.

Actualice su sistema de energía y experimente eficiencia y rendimiento de vanguardia con el MOSFET de canal N STW48N60DM2 . Confíe en sus funciones avanzadas y su diseño para optimizar la entrega de energía, reducir las pérdidas y mejorar el rendimiento general del sistema.

Características técnicas:

Característica Valor
Diodo del cuerpo Rápida recuperación
En resistencia Bajo
Cargo de puerta Muy bajo
Capacitancia de entrada Muy bajo
Prueba de avalancha 100%
Durabilidad dv/dt Alto
Protección Zener
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