MOSFET de potencia de 600 V de canal N de alta eficiencia STW48N60DM2

MOSFET de canal N STW48N60DM2: libere potencia de alta eficiencia

Libere potencia de alta eficiencia en aplicaciones exigentes con el MOSFET de canal N STW48N60DM2 . Diseñado para un rendimiento óptimo, este MOSFET es la solución perfecta para aplicaciones donde la eficiencia es primordial.

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Equipado con un diodo de recuperación rápida , el MOSFET STW48N60DM2 garantiza una carga y un tiempo de recuperación muy bajos, lo que permite una entrega de energía eficiente y confiable . Su baja resistencia de encendido lo hace ideal para topologías de puente y convertidores de cambio de fase ZVS, lo que maximiza la eficiencia de conversión de energía.

Experimente eficiencia y rendimiento de vanguardia con el MOSFET de canal N STW48N60DM2

Este MOSFET, que presenta una carga de compuerta y una capacitancia de entrada muy bajas, facilita una conmutación rápida, reduce las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento general del sistema. El MOSFET se somete al 100 % a pruebas de avalancha, lo que garantiza su robustez y confiabilidad en condiciones de funcionamiento adversas . Su alta durabilidad dv/dt mejora aún más el rendimiento y la longevidad.

Características técnicas del modelo STW48N60DM2: