MOSFET de alta potencia y rendimiento superior SVF20N50F: liberación de potencia y confiabilidad inmejorables

Presentamos el MOSFET de alta potencia y rendimiento superior SVF20N50F: ¡la solución definitiva para sus necesidades de energía! Con la tecnología VDMOS de estructura F-CellTM patentada de Silan, este transistor de efecto de campo MOS de potencia en modo de mejora de canal N ofrece rendimiento y confiabilidad de primera línea.

Descubra el rendimiento superior del SVF20N50F para sus necesidades de energía

Con celdas de banda plana mejoradas y terminaciones de anillo de protección, el SVF20N50F cuenta con una resistencia en estado de encendido increíblemente baja de solo 0,20 Ω @ VGS = 10 V, lo que garantiza un rendimiento de conmutación superior y una resistencia de pulso de alta energía en modos de avalancha y conmutación. Su baja carga de puerta y su intersección mejoran aún más su eficiencia, mientras que su cambio rápido y su capacidad DV/DT mejorada garantizan un rendimiento inmejorable.

Ya sea que necesite alimentar sus fuentes de alimentación CA-CC, convertidores CC-CC o controladores de motor PWM de puente H, el MOSFET de alto rendimiento y potencia SVF20N50F es la elección perfecta. ¡Actualice al SVF20N50F y experimente el poder de la tecnología de vanguardia!