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MOSFET de alto voltaje GPT13N50DG para reparación de fuentes de alimentación Whatsminer

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Mejore el rendimiento de su fuente de alimentación Whatsminer con el MOSFET GPT13N50DG


El MOSFET GPT13N50DG es un componente vital para reparar las fuentes de alimentación de criptomineros Whatsminer. Diseñado en un paquete TO-220F , este MOSFET utiliza un esquema de terminación avanzado para ofrecer capacidades mejoradas de bloqueo de voltaje mientras mantiene el rendimiento a largo plazo. Está construido para soportar alta energía en modos de avalancha y conmutación, lo que garantiza durabilidad y confiabilidad en aplicaciones exigentes.

Robusto MOSFET de alto voltaje para reparación confiable de fuentes de alimentación de criptomineros

Ideal para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores PWM, el MOSFET GPT13N50DG es particularmente adecuado para circuitos puente donde la velocidad del diodo y el área operativa segura de conmutación son críticos. Su robusta terminación de alto voltaje y su energía de avalancha especificada lo convierten en una opción confiable para reparaciones de suministro de energía.

Con un tiempo de recuperación de diodo de fuente a drenaje comparable a los diodos de recuperación rápida discretos , el MOSFET GPT13N50DG proporciona un rendimiento de conmutación eficiente. Los diodos incluidos están diseñados específicamente para circuitos puente, lo que mejora aún más su versatilidad. Los valores IDSS y VDS(on) se especifican a alta temperatura, lo que garantiza un rendimiento preciso en condiciones exigentes.

Características técnicas:

Característica Detalles
Terminación de alto voltaje Terminación robusta para capacidades mejoradas de bloqueo de voltaje
Energía de avalancha Soporta alta energía en modos de avalancha y conmutación.
Diodo de recuperación rápida Tiempo de recuperación del diodo fuente-drenaje comparable al de los diodos de recuperación rápida
Adecuado para circuitos en puente Ideal para aplicaciones donde la velocidad del diodo y el área operativa segura de conmutación son críticos
Especificaciones de alta temperatura Valores IDSS y VDS(on) especificados a alta temperatura
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