Transistor de efecto de campo de alta calidad T2N7002AK NJ, canal N de silicio para placa Hash Antminer L7

Transistor MOSFET T2N7002AK: aplicaciones de conmutación de alta velocidad

El transistor MOSFET T2N7002AK es un componente electrónico de alto rendimiento, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Su diseño de tipo MOS de silicio de canal N garantiza un funcionamiento eficiente y confiable, mientras que sus parámetros avanzados permiten un rendimiento excepcional. Con un estilo de montaje SMD/SMT y un encapsulado/caja óptimo de SOT-23-3 , este transistor está diseñado para adaptarse perfectamente a sus dispositivos electrónicos.

Parámetros avanzados, alta capacidad y mayor eficiencia para dispositivos electrónicos profesionales y aficionados

Con una tensión de ruptura de 60 V y una corriente de drenaje continua de 200 mA, el transistor T2N7002AK es un dispositivo de alta capacidad que puede satisfacer todas sus necesidades electrónicas. Su resistencia de drenaje-fuente de 3,9 ohmios garantiza un bajo consumo de energía y una mayor eficiencia, mientras que su rango de tensión de compuerta-fuente de -20 V a +20 V permite una versatilidad incomparable.