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  • Enhance Data Storage with TC58NVG0S3ETAI0 1Gbit NAND E2PROM.
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TC58NVG0S3ETAI0 Solución de memoria no volátil de alta densidad NAND E2PROM de 1 Gbit

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Mejore el almacenamiento de datos con la memoria NAND E2PROM de 1 Gbit TC58NVG0S3ETAI0

Mejore sus capacidades de almacenamiento de datos con la memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente NAND de 1 Gbit TC58NVG0S3ETAI0 (NAND E2PROM). Este circuito integrado digital proporciona una solución de memoria no volátil de alta densidad que ofrece un almacenamiento de datos confiable y eficiente para diversas aplicaciones.

Solución de memoria no volátil de alta densidad: TC58NVG0S3ETAI0 1 Gbit NAND E2PROM

El TC58NVG0S3ETAI0 cuenta con una fuente de alimentación única de 3,3 V (Vcc = 2,7 V a 3,6 V) y una capacidad de 1 Gbit (1 107 296 256 bits). Su funcionalidad versátil admite modos como Lectura, Reinicio, Programación automática de páginas, Borrado automático de bloques, Lectura de estado, Copia de páginas, Programación de varias páginas, Borrado de varios bloques, Copia de varias páginas y Lectura de varias páginas.


TC58NVG0S3ETAI0 Características técnicas:

Característica Descripción
Modos Leer, Restablecer, Programación automática de páginas, Borrado automático de bloques, Lectura de estado, Copia de páginas, Programación de varias páginas, Borrado de varios bloques, Copia de varias páginas, Lectura de varias páginas
Entrada/salida en serie Sí
Control de mando Sí
Número de bloques válidos Mínimo 1004 bloques, máximo 1024 bloques
Fuente de alimentación Vcc = 2,7 V a 3,6 V
Programa de página automática 300 μs/página (típico)
Borrado automático de bloques 2,5 ms/bloque (típico)
Paquete TSOP I 48-P-1220-0.50


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