Mejore el almacenamiento de datos con TC58NVG0S3ETAI0 1Gbit NAND E2PROM

Actualice sus capacidades de almacenamiento de datos con la memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente NAND de 1 Gbit TC58NVG0S3ETAI0 (NAND E2PROM). Este circuito integrado digital proporciona una solución de memoria no volátil de alta densidad, que ofrece almacenamiento de datos confiable y eficiente para diversas aplicaciones.

Solución de memoria no volátil de alta densidad: TC58NVG0S3ETAI0 1Gbit NAND E2PROM

El TC58NVG0S3ETAI0 cuenta con una única fuente de alimentación de 3,3 V (Vcc = 2,7 V a 3,6 V) y una capacidad de 1 Gbit (1.107.296.256 bits). Su funcionalidad versátil admite modos como lectura, reinicio, programa automático de páginas, borrado automático de bloques, lectura de estado, copia de páginas, programa multipágina, borrado multibloque, copia multipágina y lectura multipágina.

Con su entrada/salida en serie y control de comando, el TC58NVG0S3ETAI0 proporciona una fácil integración y un funcionamiento eficiente. El dispositivo ofrece un mínimo de 1004 bloques y un máximo de 1024 bloques, lo que garantiza una amplia capacidad de almacenamiento.

El TC58NVG0S3ETAI0 está diseñado para aplicaciones que requieren almacenamiento de datos en memoria no volátil de alta densidad. Es adecuado para almacenamiento de archivos de estado sólido, grabación de voz, memoria de archivos de imágenes para cámaras fotográficas y otros sistemas que exigen un almacenamiento de datos confiable y eficiente.

Características técnicas: