TC58NVG0S3ETAI0 Solución de memoria no volátil de alta densidad NAND E2PROM de 1 Gbit
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Mejore el almacenamiento de datos con la memoria NAND E2PROM de 1 Gbit TC58NVG0S3ETAI0
Mejore sus capacidades de almacenamiento de datos con la memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente NAND de 1 Gbit TC58NVG0S3ETAI0 (NAND E2PROM). Este circuito integrado digital proporciona una solución de memoria no volátil de alta densidad que ofrece un almacenamiento de datos confiable y eficiente para diversas aplicaciones.
Solución de memoria no volátil de alta densidad: TC58NVG0S3ETAI0 1 Gbit NAND E2PROM
El TC58NVG0S3ETAI0 cuenta con una fuente de alimentación única de 3,3 V (Vcc = 2,7 V a 3,6 V) y una capacidad de 1 Gbit (1 107 296 256 bits). Su funcionalidad versátil admite modos como Lectura, Reinicio, Programación automática de páginas, Borrado automático de bloques, Lectura de estado, Copia de páginas, Programación de varias páginas, Borrado de varios bloques, Copia de varias páginas y Lectura de varias páginas.
TC58NVG0S3ETAI0 Características técnicas:
| Característica | Descripción |
|---|---|
| Modos | Leer, Restablecer, Programación automática de páginas, Borrado automático de bloques, Lectura de estado, Copia de páginas, Programación de varias páginas, Borrado de varios bloques, Copia de varias páginas, Lectura de varias páginas |
| Entrada/salida en serie | Sí |
| Control de mando | Sí |
| Número de bloques válidos | Mínimo 1004 bloques, máximo 1024 bloques |
| Fuente de alimentación | Vcc = 2,7 V a 3,6 V |
| Programa de página automática | 300 μs/página (típico) |
| Borrado automático de bloques | 2,5 ms/bloque (típico) |
| Paquete | TSOP I 48-P-1220-0.50 |
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