MOSFET de canal N de silicio 600V 20A TK20A60W5 para reguladores de voltaje de conmutación
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MOSFET TK20A60W5: MOSFET de potencia de silicio de canal N para reguladores de voltaje conmutado
El MOSFET TK20A60W5 es un MOSFET de potencia de silicio de canal N de alto rendimiento, diseñado específicamente para reguladores de voltaje conmutados. Gracias a sus características avanzadas y diseño robusto, este MOSFET ofrece un rendimiento y una fiabilidad excepcionales en diversas aplicaciones.
Actualice sus reguladores de voltaje de conmutación con el MOSFET TK20A60W5
Con tecnología DTMOS (MOS de doble difusión), el TK20A60W5 ofrece un rápido tiempo de recuperación inversa (trr) de 110 ns (típico) y una baja resistencia de encendido drenador-fuente (RDS(ON)) de 0,15 Ω (típico). La estructura de superunión del DTMOS permite un manejo eficiente de la potencia y mejora el rendimiento general.
Características técnicas del TK20A60W5:
| Característica | Detalles |
|---|---|
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (Óxido metálico) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 voltios |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C | 20A (Ta) |
| Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10 V |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 175 mOhm a 10 A, 10 V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id | 4,5 V a 1 mA |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs | 55 nC a 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30 V |
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