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MOSFET de canal N de silicio 600V 20A TK20A60W5 para reguladores de voltaje de conmutación

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MOSFET TK20A60W5: MOSFET de potencia de silicio de canal N para reguladores de voltaje de conmutación

El MOSFET TK20A60W5 es un MOSFET de potencia de silicio de canal N de alto rendimiento diseñado específicamente para reguladores de voltaje de conmutación. Con sus características avanzadas y diseño robusto, este MOSFET ofrece un rendimiento y una confiabilidad excepcionales en diversas aplicaciones.

Actualice sus reguladores de voltaje de conmutación con el MOSFET TK20A60W5

Con la tecnología DTMOS (MOS de doble difusión), el TK20A60W5 ofrece un rápido tiempo de recuperación inversa (trr) de 110 ns (típico) y una baja resistencia de encendido de drenaje-fuente (RDS(ON)) de 0,15 Ω (típico). La estructura de superunión de DTMOS permite un manejo eficiente de la potencia y mejora el rendimiento general.

MOSFET de potencia de silicio de canal N confiable para una regulación de voltaje eficiente

Controlar la conmutación de la compuerta es fácil con este MOSFET, gracias a su modo de mejora y a un rango de voltaje de umbral de compuerta (Vth) de 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA). El MOSFET TK20A60W5 garantiza un funcionamiento confiable y una regulación de potencia eficiente en sus circuitos reguladores de voltaje.

Características técnicas del TK20A60W5:
Característica Detalles
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Óxido Metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 20A (T)
Voltaje de accionamiento (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 10 V
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs 175 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 4,5 V a 1 mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs 55 nC a 10 V
Vgs (máximo) ±30 V
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