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MOSFET de canal N de silicio 600V 20A TK20A60W5 para reguladores de voltaje de conmutación

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MOSFET TK20A60W5: MOSFET de potencia de silicio de canal N para reguladores de voltaje conmutados


El MOSFET TK20A60W5 es un MOSFET de potencia de silicio de canal N de alto rendimiento diseñado específicamente para conmutar reguladores de voltaje. Con sus características avanzadas y diseño robusto, este MOSFET ofrece rendimiento y confiabilidad excepcionales en diversas aplicaciones.

Actualice sus reguladores de voltaje de conmutación con MOSFET TK20A60W5

Con la tecnología DTMOS (MOS de doble difusión), el TK20A60W5 ofrece un tiempo de recuperación inversa (trr) rápido de 110 ns (típ.) y una baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje (RDS (ON)) de 0,15 Ω (típ.). La estructura Super Junction de DTMOS permite un manejo eficiente de la energía y mejora el rendimiento general.

MOSFET de potencia de silicio de canal N confiable para una regulación de voltaje eficiente

Controlar la conmutación de la puerta es fácil con este MOSFET, gracias a su modo de mejora y un rango de voltaje de umbral de puerta (Vth) de 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA). El MOSFET TK20A60W5 garantiza un funcionamiento confiable y una regulación de energía eficiente en sus circuitos reguladores de voltaje.

Características técnicas:

Característica Detalles
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 600 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 175 mOhmios a 10 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4,5 V a 1 mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±30V
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