categoria de producto

MOSFET de potencia

Material

Si

Proceso tecnológico

U-MOS VIII-H

Configuración

Fuente triple de drenaje cuádruple único

Modo de canal

Mejora

Tipo de canal

norte

Número de elementos por chip

1

Voltaje máximo de fuente de drenaje (V)

30

Voltaje máximo de fuente de puerta (V)

±20

Voltaje umbral máximo de puerta (V)

2.3

Corriente máxima de drenaje continuo (A)

220

Corriente máxima de fuga de la fuente de puerta (nA)

100

IDSS máximo (uA)

10

Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm)

0,9 a 10V

Carga típica de puerta en Vgs (nC)

74 a 10 V | 32 a 4,5 V

Carga típica de puerta a 10 V (nC)

74

Capacitancia de entrada típica en Vds (pF)

5300 a 15V

Disipación de potencia máxima (mW)

78000

Tiempo de caída típico (ns)

15

Tiempo de subida típico (ns)

9.6

Temperatura mínima de funcionamiento (°C)

-55

Temperatura máxima de funcionamiento (°C)

150

embalaje

Cinta y carrete

Automotor

No

Nombre del paquete estándar

COMPENSACIÓN

Número de pines

8

Paquete de proveedor

Avance del POE

Militar

No

Montaje

Montaje superficial

Dimensiones del paquete

0,95x5x5mm

PCB cambiado

8

Forma de plomo

Sin plomo