MOSFET de canal N HYG009N04LS1C2 de 40V 200A – Rds(on) ultrabajo para reparación de hashboards
El HYG009N04LS1C2 (marcado G009N04) es un MOSFET de canal N con una clasificación de 40V / 200A en un encapsulado PDFN5×6-8L, que ofrece un Rds(on) ultrabajo de 0.75mΩ a 10V de accionamiento de puerta (1.05mΩ a 4.5V). Cada unidad es 100% probada contra avalanchas para garantizar su robustez en eventos de sobretensión transitorios. Se utiliza como un dispositivo de conmutación de potencia de alta corriente en hashboards de mineros ASIC, donde la clasificación de 200A proporciona un amplio margen para las grandes cargas de corriente en la ruta de distribución de energía de cada grupo de chips.
Por qué es importante un Rds(on) ultrabajo
A las corrientes que fluyen a través de los MOSFET de potencia de la hashboard, cada fracción de miliohmio se traduce directamente en vatios de calor. La resistencia de encendido de 0.75mΩ del HYG009N04 mantiene las pérdidas por conducción y la disipación térmica al mínimo, manteniendo un voltaje estable en los chips ASIC y evitando el bucle de fuga térmica que degrada los MOSFET de mayor resistencia con el tiempo.
Procedimiento de reemplazo
Retire la hashboard y localice el dispositivo fallido en la ruta de distribución de energía; el encapsulado PDFN5×6 está marcado como G009N04. Verifique la falla con un multímetro. Desolde con aire caliente a 320–350°C, limpie todas las almohadillas con malla desoldadora, coloque el nuevo dispositivo con el pin 1 alineado y vuelva a soldar. Confirme la resistencia drenaje-fuente adecuada y reinstale. Verifique la detección completa del chip en el tablero.
Especificaciones del MOSFET HYG009N04LS1C2
Parámetro
Valor
Número de pieza
HYG009N04LS1C2
Marcado
G009N04
Voltaje Drenaje-Fuente
40V
Corriente de Drenaje
200A
Rds(on) @ 10V
0.75mΩ típico
Rds(on) @ 4.5V
1.05mΩ típico
Probado contra avalanchas
100%
Encapsulado
PDFN5×6-8L
Condición
Nuevo (original)
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