HYG009N04LS1C2 MOSFET de canal N de 40 V y 200 A

Maximice la eficiencia y confiabilidad de su placa hash con el MOSFET de canal N de 40 V y 200 A HYG009N04LS1C2 . Diseñado con un encapsulado PDFN5*6-8L y con la marca serigrafiada G009N04, este MOSFET es ideal para reemplazar chips MOS defectuosos en placas hash, lo que garantiza que sus operaciones mineras se ejecuten sin problemas.

Optimice su placa hash con el MOSFET HYG009N04LS1C2

El HYG009N04LS1C2 ofrece un rendimiento superior con una tensión nominal de 40 V y una corriente nominal de 200 A. Sus bajos valores RDS(on) de 0,75 mΩ a VGS = 10 V y 1,05 mΩ a VGS = 4,5 V lo hacen muy eficiente en aplicaciones de conmutación y gestión de energía para convertidores CC/CC. Además, ha sido probado al 100 % contra avalanchas, lo que garantiza su fiabilidad y robustez en condiciones exigentes.

Características principales del MOSFET de canal N HYG009N04LS1C2 de 40 V y 200 A

Ya sea que lo necesite para cambiar aplicaciones, administrar la energía o proteger la batería, el MOSFET HYG009N04LS1C2 es una opción versátil y confiable. Actualice su hardware de minería de criptomonedas hoy con este componente de alta calidad para garantizar un rendimiento y una longevidad óptimos.

Tabla de características técnicas