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  • HYG009N04LS1C2 40V 200A N-Channel MOSFET for Hashboard Repair
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  • HYG009N04LS1C2 N-Channel MOSFET ASIC Hash Board Repair
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HYG009N04LS1C2 MOSFET de canal N de 40 V y 200 A para reparación de placa hash

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HYG009N04LS1C2 MOSFET de canal N de 40 V y 200 A

Maximice la eficiencia y confiabilidad de su placa hash con el MOSFET de canal N HYG009N04LS1C2 de 40 V y 200 A. Diseñado con un encapsulado PDFN5*6-8L y con la marca serigrafiada G009N04, este MOSFET es ideal para reemplazar chips MOS defectuosos en placas hash, lo que garantiza que sus operaciones mineras se ejecuten sin problemas.

Optimice su placa hash con el MOSFET HYG009N04LS1C2

El HYG009N04LS1C2 ofrece un rendimiento superior con una tensión nominal de 40 V y una corriente nominal de 200 A. Sus bajos valores RDS(on) de 0,75 mΩ a VGS = 10 V y 1,05 mΩ a VGS = 4,5 V lo hacen muy eficiente en aplicaciones de conmutación y gestión de energía para convertidores CC/CC. Además, ha sido probado al 100 % contra avalanchas, lo que garantiza su fiabilidad y robustez en condiciones exigentes.

Características principales del MOSFET de canal N HYG009N04LS1C2 de 40 V y 200 A

Característica Especificación
Tensión nominal (VDS) 40 V
Calificación actual (ID) 200A
RDS(activado) @ VGS = 10 V 0,75 mΩ (típico)
RDS(activado) @ VGS = 4,5 V 1,05 mΩ (típico)
Paquete PDFN5*6-8L
Marcado de serigrafía G009N04
Probado contra avalanchas 100%
Fiabilidad y robustez Alto
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