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Vishay Siliconix G47N60EF MOSFET Canal N 600 V 47 A (Tc) Orificio pasante de alta potencia TO-247AC

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MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de energía

Actualice sus sistemas de control de energía con el MOSFET Vishay Siliconix G47N60EF. Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones industriales. Con un voltaje de drenaje a fuente de 600 V y una corriente de drenaje continua de 47 A (Tc), proporciona capacidades sólidas de manejo de energía.

Vishay Siliconix G47N60EF - Control de potencia eficiente

Con tecnología MOSFET avanzada, el G47N60EF garantiza un control de energía eficiente con baja resistencia de encendido (Rds On) de 67 mOhm @ 24 A, 10 V. Su carga de puerta (Qg) de 225 nC a 10 V permite una conmutación rápida, optimizando el rendimiento del sistema. El MOSFET opera dentro de un amplio rango de temperatura de -55°C a 150°C (TJ), lo que lo hace adecuado para entornos desafiantes.

El G47N60EF está empaquetado en un paquete confiable TO-247AC de orificio pasante, lo que permite un montaje seguro y una disipación térmica. Con su alta disipación de potencia de 379 W (Tc), ofrece confiabilidad y rendimiento excepcionales en aplicaciones de electrónica de potencia.

Tabla de Características Técnicas:

Característica Especificación
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs 67 mOhmios a 24 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250μA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC a 10 V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4854 pF a 100 V
Disipación de energía (máx.) 379W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje A través del orificio
Paquete / Estuche A-247-3
Número de producto básico SIHG47


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